申请/专利权人：浙江康鹏半导体有限公司

申请日：2024-02-05

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117702275B

主分类号：C30B29/40

分类号：C30B29/40;C30B11/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本方案提供了一种基于双层坩埚的磷化铟单晶的生长方法，包括步骤：1）将单晶生长物料装入双层坩埚内后放入石英管内，密封石英管；2）将装有物料的石英管装入单晶炉以设定程序进行升温直到磷化铟多晶料全部熔化得到熔体，熔化的氧化硼流入内坩埚的底部以及溢出进入内坩埚和外坩埚之间的间隙；3）调整单晶炉的温度促使籽晶的上部部分熔化，待单晶炉的温度场平稳后按照设定程度进行降温直到整个熔体凝固为晶体；4）切割石英管取出双层坩埚，将双层坩埚置于热水中分离内坩埚和外坩埚以及分离内坩埚内的晶体和氧化硼，通过双层坩埚的设计提高脱模的效率与坩埚的使用率，避免了漏料风险，且可改变磷化铟单晶生长过程中的传热以提升单晶生长成品率。

主权项：1.一种基于双层坩埚的磷化铟晶体的生长方法，其特征在于，包括：1）将单晶生长物料装入双层坩埚内后放入石英管内，密封石英管得到装有物料的石英管，其中双层坩埚由存在间隙的内坩埚和外坩埚组成，内坩埚置于外坩埚的内侧且内坩埚的顶部低于外坩埚的顶部，其中单晶生长物料包括籽晶、磷化铟多晶料、红磷、氧化硼和掺杂剂；2）将装有物料的石英管装入单晶炉以设定程序进行升温直到磷化铟多晶料全部熔化得到熔体，其中在升温过程中，熔化的氧化硼流入内坩埚的底部以及溢出进入内坩埚和外坩埚之间的间隙；3）调整单晶炉的温度促使籽晶的上部部分熔化，待单晶炉的温度场平稳后按照设定程度进行降温直到整个熔体凝固为晶体；4）切割石英管取出双层坩埚，将双层坩埚置于65-80℃的热水中分离内坩埚和外坩埚以及分离内坩埚内的晶体和氧化硼，取出晶体；其中，内坩埚和外坩埚的形状相同，且外坩埚为单侧导通单侧闭合的结构，内坩埚为双侧导通的结构。

全文数据：

权利要求：

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