申请/专利权人：昆山雅森电子材料科技有限公司

申请日：2018-01-08

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN108045022B

主分类号：B32B15/01

分类号：B32B15/01;B32B37/06;B32B37/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2019.08.23#实质审查的生效;2018.05.18#公开

摘要：本发明公开了一种LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箔基板，包括第一、二铜箔层以及位于二者之间的第一极低介电胶层和至少一层绝缘聚合物层，第一和第二铜箔层的内表面的Rz值为0.1‑1.0μm；绝缘聚合物层为第一LCP聚合物层或第一氟系聚合物层中的至少一种；第一极低介电胶层是指Dk值为2.0‑3.5，且Df值为0.002‑0.010的胶层；第一聚酰亚胺层是指Dk值2.20‑3.50且Df值0.002‑0.010的绝缘聚合物层。本发明的双面铜箔基板和FPC不但电性良好，而且具有成本具备优势、制程工序较短、低热膨胀系数、在高温湿度环境下稳定的dkdf性能、超低吸水率、良好的UV雷射钻孔能力、低反弹力适合高密度组装以及极佳的机械性能。

主权项：1.一种具有LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箔基板的FPC，其特征在于：所述LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箔基板（100）包括第一铜箔层（101）、第二铜箔层（102）以及位于所述第一铜箔层和所述第二铜箔层之间的第一极低介电胶层（103）和至少一层绝缘聚合物层，所述第一铜箔层和所述第二铜箔层皆是靠近绝缘聚合物层的一面为内表面，所述第一铜箔层的内表面的Rz值为0.1-1.0μm，所述第二铜箔层的内表面的Rz值为0.1-1.0μm；每一所述绝缘聚合物层皆包括第一绝缘聚合物层（104）和第二绝缘聚合物层（105）中的至少一种，且至少一绝缘聚合物层为第一绝缘聚合物层，所述第一绝缘聚合物层为第一LCP聚合物层或第一氟系聚合物层中的至少一种，所述第二绝缘聚合物层为第一聚酰亚胺层；所述第一极低介电胶层是指Dk值为2.0-3.50，且Df值为0.002-0.010的胶层；所述第一聚酰亚胺层是指Dk值2.20-3.50且Df值0.002-0.010的绝缘聚合物层；所述双面铜箔基板的总厚度为9-220μm；其中，所述第一铜箔层和所述第二铜箔层的厚度均为1-35μm；所述第一极低介电胶层的厚度为2-50μm；每一所述绝缘聚合物层的厚度均为5-50μm；所述双面铜箔基板为下列三种结构中的一种：第一种、所述双面铜箔基板从上到下依次由第一铜箔层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层、第一绝缘聚合物层和第二铜箔层组成；第二种、所述双面铜箔基板从上到下依次由第一铜箔层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层、第二绝缘聚合物层和第二铜箔层组成；第三种、所述双面铜箔基板从上到下依次由第一铜箔层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层和第二铜箔层组成；所述第一铜箔层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层和第二铜箔层的总厚度为9-170μm；所述FPC包括FRCC（200）和所述双面铜箔基板（100）,所述FRCC和所述双面铜箔基板相压合，所述FRCC包括第三铜箔层（201）、第二极低介电胶层（202）以及位于二者之间的第三绝缘聚合物层，所述第三铜箔层与所述第三绝缘聚合物层接触的一面为内表面，所述第三铜箔层的内表面的Rz值为0.1-1.0μm；所述FPC的制备方法：将FRCC和双面铜箔基板预压、压合并熟化，其中预压时间为10-30s，成型时间为120-180s，成型压力为90-110kgfcm2，压合温度为185±10℃，熟化温度为165-175℃，熟化时间为50-70min。

全文数据：LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箔基板及FPC技术领域[0001]本发明涉及FPC柔性线路板及其制备技术领域，特别涉及一种双面铜箱基板。背景技术[0002]随着信息技术的飞跃发展，为满足信号传送高频高速化、散热导热快速化以及生产成本最低化，各种形式的混压结构多层板设计与应用方兴未艾。印刷电路板是电子产品中不可或缺的材料，而随着消费性电子产品需求增长，对于印刷电路板的需求也是与日倶增。由于软性印刷电路板FPC，FlexiblePrintedCircuit具有可烧曲性及可三度空间配线等特性，在科技化电子产品强调轻薄短小、可挠曲性、高频率的发展趋势下，目前被广泛应用计算机及其外围设备、通讯产品以及消费性电子产品等等。[0003]在高频领域，无线基础设施需要提供足够低的插损，才能有效提高能源利用率。随着5G通讯、毫米波、航天军工加速高频高速FPCPCB印刷电路板需求业务来临，随着大数据、物联网等新兴行业兴起以及移动互连终端的普及，快速地处理、传送信息，成为通讯行业重点。在通讯领域，未来5G网络比4G拥有更加高速的带宽、更密集的微基站建设，网速更快。物联网与云端运算以及新世代各项宽频通讯之需求，发展高速服务器与更高传输速度的手机已成市场之趋势。一般而言，FPCPCB是整个传输过程中主要的瓶颈，若是欠缺良好的设计与电性佳的相关材料，将严重延迟传输速度或造成讯号损失。这就对电路板材料提出了很高的要求。此外，当前业界主要所使用的高频板材主要为LCP液晶聚合物板、PTFE聚四氟乙烯纤维板，然而也受到制程技术的限制，对制造设备的要求高且需要在较高温环境280°C下才可以操作，随之也造成了其膜厚不均匀，膜厚不均会造成电路板的阻抗值控制不易，且高温压合制程，会造成LCP或PTFE挤压影响镀铜的导通性，形成断路，进而造成信赖度不佳，可靠度下降；此外，又面临了不能使用快压机设备，导致加工困难；另外在SMT表面贴装）高温制程或其它FPC制程，例如弯折、强酸强碱药液制程时，接着强度不足，造成良率下降。而其它树脂类膜虽然没有上述问题，但面临电性不佳或者机械强度不好等等问题。发明内容[0004]对于高频高速传输时信号完整性至关重要，影响的因素主要为铜箱层及绝缘聚合物层基材，双面铜箱基板作为FPCPCB板的原材料主要由多层绝缘聚合物层及铜箱层构成。双面铜箱基板的性能很大程度取决于较低的dkdf树脂层的选择以及铜箱表面粗糙度及晶格排列的选择。[0005]为了解决上述技术问题，本发明提供了一种LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箱基板，本发明的双面铜箱基板不但电性良好，而且具备低粗糙度的铜箱层、结构组成简单、成本具备优势、制程工序较短、低热膨胀系数、在高温湿度环境下稳定的dkdf性能、超低吸水率、良好的UV雷射钻孔能力、低反弹力适合高密度组装以及极佳的机械性能；另外，涂布法当前技术最多只能涂50μπι左右的厚度，本发明制造方法可以轻易得到ΙΟΟμπι以上的厚膜。[0006]为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是:本发明提供了一种LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箱基板，包括第一铜箱层、第二铜箱层以及位于所述第一铜箱层和所述第二铜箱层之间的第一极低介电胶层和至少一层绝缘聚合物层，所述第一铜箱层和所述第二铜箱层皆是靠近绝缘聚合物层的一面为内表面，所述第一铜箱层的内表面的Rz值为0·1-1·Ομπι，所述第二铜箱层的内表面的Rz值为0·1-1·Ομπι;[0007]每一所述绝缘聚合物层皆包括第一绝缘聚合物层和第二绝缘聚合物层中的至少一种，且至少一绝缘聚合物层为第一绝缘聚合物层，所述第一绝缘聚合物层为第一LCP聚合物层或第一氟系聚合物层中的至少一种，所述第二绝缘聚合物层为第一聚酰亚胺层；[0008]所述第一极低介电胶层是指Dk值为2.0-3.50，且Df值为0.002-0.010的胶层；[0009]所述第一聚酰亚胺层是指Dk值2.20-3.50且Df值0.002-0.010的绝缘聚合物层；[0010]所述双面铜箱基板的总厚度为9-220μπι;其中，所述第一铜箱层和所述第二铜箱层的厚度均为1-35μηι;所述第一极低介电胶层的厚度为2-50μηι;每一所述绝缘聚合物层的厚度均为5-50μηι。[0011]进一步地说，所述第一氟系聚合物层中的氟系聚合物选自聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、氟乙烯与乙烯基醚共聚物、四氟乙烯与乙烯的共聚物、聚三氟氯乙烯与乙烯共聚物、四氟乙烯、六氟丙烯与偏氟乙烯共聚物、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物、聚三氟氯乙烯、聚氯乙烯、四氟乙烯-六氟丙稀共聚物、乙烯-氟乙烯共聚物及四氟乙烯-六氟丙烯-三氟乙烯共聚物中的至少一种。[0012]进一步地说，所述第一铜箱层、所述第二铜箱层、所述第一极低介电胶层和所述绝缘聚合物层构成的叠构的整体吸水率在〇.01-1.5%。[0013]进一步地说，所述第一极低介电胶层与第二铜箱层之间、所述第一极低介电胶层与绝缘聚合物层之间、所述绝缘聚合物层与所述第一铜箱层之间以及所述绝缘聚合物层与所述第二铜箱层之间的接着强度均〇.7kgfcm。[0014]进一步地说，所述第一极低介电胶层的树脂材料为氟系树脂、环氧树脂、丙烯酸系树脂、胺基甲酸酯系树脂、硅橡胶系树脂、聚对环二甲苯系树脂、双马来酰亚胺系树脂和聚酰亚胺系树脂中的至少一种。[0015]进一步地说，所述第一极低介电胶层为含聚酰亚胺的热固性聚酰亚胺层，且所述聚酰亚胺的含量为所述第一极低介电胶层的总固含量的40-95%。[0016]进一步地说，所述双面铜箱基板为下列三种结构中的一种：[0017]第一种、所述双面铜箱基板从上到下依次由第一铜箱层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层、第一绝缘聚合物层和第二铜箱层组成；[0018]第二种、所述双面铜箱基板从上到下依次由第一铜箱层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层、第二绝缘聚合物层和第二铜箱层组成；[0019]第三种、所述双面铜箱基板从上到下依次由第一铜箱层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层和第二铜箱层组成；[0020]所述第一铜箱层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层和第二铜箱层的总厚度为9-170μηι〇[0021]本发明还提供了一种具有所述的LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箱基板的FPC，所述FPC包括FRCC和所述双面铜箱基板，所述FRCC和所述双面铜箱基板相压合，所述FRCC包括第三铜箱层、第二极低介电胶层以及位于二者之间的第三绝缘聚合物层，所述第三铜箱层与所述第三绝缘聚合物层接触的一面为内表面，所述第三铜箱层的内表面的Rz值为0·1-1.Ομπίο[0022]进一步地说，所述FPC为下列六中结构中的一种，定义FRCC压合于所述双面铜箱基板的上方：[0023]第一种、所述FRCC从上到下依次为:第三铜箱层、第三绝缘聚合物层和第二极低介电胶层，所述第三绝缘聚合物层为第二LCP聚合物层或第二氟系聚合物层;所述双面铜箱基板从上到下依次为第一铜箱层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层、第一绝缘聚合物层和第二铜箱层；[0024]第二种、所述FRCC从上到下依次为:第三铜箱层、第三绝缘聚合物层和第二极低介电胶层，所述第三绝缘聚合物层为第二LCP聚合物层或第二氟系聚合物层;所述双面铜箱基板从上到下依次为第一铜箱层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层、第一聚酰亚胺层和第二铜箱层；[0025]第三种、所述FRCC从上到下依次为:第三铜箱层、第三绝缘聚合物层和第二极低介电胶层，所述第三绝缘聚合物层为第二LCP聚合物层或第二氟系聚合物层;所述双面铜箱基板从上到下依次为第一铜箱层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层和第二铜箱层；[0026]第四种、所述FRCC从上到下依次为:第三铜箱层、第三绝缘聚合物层和第二极低介电胶层，所述第三绝缘聚合物层为第二聚酰亚胺层;所述双面铜箱基板从上到下依次为第一铜箱层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层、第一绝缘聚合物层和第二铜箱层；[0027]第五种、所述FRCC从上到下依次为:第三铜箱层、第三绝缘聚合物层和第二极低介电胶层，所述第三绝缘聚合物层为第二聚酰亚胺层;所述双面铜箱基板从上到下依次为第一铜箱层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层、第一聚酰亚胺层和第二铜箱层；[0028]第六种、所述FRCC从上到下依次为:第三铜箱层、第三绝缘聚合物层和第二极低介电胶层，所述第三绝缘聚合物层为第二聚酰亚胺层;所述双面铜箱基板从上到下依次为第一铜箱层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层和第二铜箱层。[0029]本发明又提供了一种所述的FPC的制备方法，将FRCC和双面铜箱基板预压、压合并熟化，其中预压时间为10-30s，成型时间为120-180S，成型压力为90-110kgfcm2,压合温度为185±10°C，熟化温度为165-175°C，熟化时间为50-70min。[0030]本发明的有益效果是：[0031]一、本发明的双面铜箱基板结构合理，可减少FPC厂制程工序，不但电性良好，而且具有低粗糙度铜箱、低热膨胀系数、在高温湿度环境下稳定的dkdf性能、超低吸水率以及极佳的机械性能、可挠性佳、耐焊锡性高、接着强度佳、操作性良好，并且可以在低温进行压合，可以使用快压设备，以及压合后可使FPC有极佳的平坦性，适用于UV镭射的小于100微米的小孔径加工，压合时膜厚均匀，阻抗控制良好，适用于5G智能型手机、Applewatch等可穿戴设备；[0032]二、本发明的FPC包括第一、第二和第三铜箱层，即为具有三层铜箱层的FPC，结构合理，且本发明的FPC由FRCC和双面铜箱基板压合而成，压合后的FPC具有三层铜箱层，其中第三铜箱层和第二铜箱层为外侧的铜箱层，需要高温260°左右锡焊并搭载元器件，故对二者剥离强度要求较高〇.7kgfcm，而第一铜箱层为位于中间的内层铜箱层，也称讯号线铜箱层，主要用于导通线路，不需要经过SMT或其它高温制程搭载元器件，故对第一铜箱层与第二极低介电胶层的剥离强度要求较低，只需〇.5kgfcm即可，传统的观念中一直认为FPC中的铜箱层与其它层的接着强度在一定范围越大越好至少0.7kgfcm，越不容易分层脱落，大的接着强度一般需要铜箱层的Rz值较大，另由于铜箱层的信号传输过程中具有集肤效应，要实现高频高传输，则需要铜箱层的Rz值越小越好，故大的接着强度与高频高传输之间存在矛盾，而本发明的FPC由于第一铜箱层不需要经过SMT或其它高温制程搭载元器件，故对第一铜箱层与第二极低介电胶层的剥离强度要求较低，只需〇.5kgfcm即可，因此第一铜箱层能够选择Rz值更低、电性更好、插入损耗更低的铜箱层，且不影响FPC的高频高传输性；[0033]三、本发明的双面铜箱基板的绝缘聚合物层包括第一绝缘聚合物层和第二绝缘聚合物层中的至少一种，且第一绝缘聚合物层为第一LCP聚合物层或第一氟系聚合物层中的至少一种，由LCP聚合物层或氟系聚合物层的介电常数和介电损耗相对较低，使得本发明的双面铜箱基板不仅具有优秀的耐热性、剥离强度和阻燃性，更突出表现其介电常数比现有技术中的挠性覆铜板的介电常数低，适用于制作高频高速应用领域的挠性印制电路板;且氟系聚合物层具有超低吸湿性，吸水后性能稳定，具有较佳的电气性能，可大大降低多层板和软硬结合板的爆板风险，减少讯号传输插入损耗；[0034]四、本发明的FPC采用的第三铜箱层、第一铜箱层和第二铜箱层的Rz值均较低，信号传输过程中具有集肤效应，由于铜箱表面粗糙度较低，结晶细腻，表面平坦性较佳，因而信号能实现高速传输，同时极低介电胶层具有较低且稳定的DkDf性能，可减少信号传输过程中的损耗，进一步提高信号传输质量，完全能胜任FPC高频高速化、散热导热快速化以及生产成本最低化发展的需要；[0035]五、本发明中的第一极低介电胶层是指Dk值为2.0-3.5，且Df值为0.002-0.010的胶层，较低的并且在高温湿度环境下稳定的DkDf值，使得FRCC和双面铜箱基板适合低温低于180°C快速压合制得本发明的FPC，工艺加工性强，而且对制作设备要求低，进而降低生产成本，其设备操作性和加工性均优于现有的LCP基板和PTFE纤维板;更佳的是，由于适合低温压合，大大降低了制备FPC过程中线路氧化的风险；[0036]六、本发明的第一极低介电胶层可以为含聚酰亚胺的热固性聚酰亚胺层，且聚酰亚胺的含量为第一极低介电胶层的总固含量的40-95%，采用热固性聚酰亚胺层搭配绝缘聚合物层的结构，本发明的双面铜箱基板相较于传统的环氧树脂系产品，更适合下游产业的小孔径（〈ΙΟΟμπιUV镭射加工，不容易造成通孔PTH，PlatingThroughHole或孔洞内缩，压合时膜厚均匀，阻抗控制良好，不单只适合采用较大孔径的机械钻孔的加工方式，工艺适应性较强；[0037]七、本发明中的双面铜箱基板与普通LCP板相比具有较低的反弹力，仅为LCP板反弹力的一半左右，适合下游高密度组装制程；[0038]八、本发明的双面铜箱基板可以具有第一聚酰亚胺层，而且第一极低介电胶层的配方中可以含有聚酰亚胺系，本发明的整体吸水率在〇.〇1-1.5%由于超低的吸水率，吸水后性能稳定，具有较佳的电气性能，可大大降低多层板和软硬结合板的爆板风险，减少讯号传输插入损耗；[0039]九、本发明还具有热膨胀性佳、可挠性佳、耐焊锡性高和极佳的机械性能等优点，而且极低介电胶层的接着强度佳，接着强度〇.7kgfcm;[0040]十、当前的BondPly粘接片产品于下游产业使用需要剥离离型层然后压合上铜箱层，使用本结构的双面铜箱基板，结构组成简单，可以节省下游的加工工序;成本相对低廉。[0041]本发明的上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。附图说明[0042]图1是本发明的实施方式1的结构示意图；[0043]图2是本发明的实施方式2的结构示意图；[0044]图3是本发明的实施方式3的结构示意图；[0045]图4是本发明的实施方式4的结构示意图；[0046]图5是本发明的实施方式5的结构示意图；[0047]图6是本发明的实施方式6的结构示意图；[0048]图7是本发明的实施方式7的结构示意图；[0049]图8是本发明的实施方式8的结构示意图；[0050]图9是本发明的实施方式9的结构示意图；[0051]图10是本发明的实施方式10的结构示意图；[0052]图11是本发明的实施方式11的结构示意图；[0053]图12是本发明的实施方式12的结构示意图；[0054]附图中各部分标记如下：[0055]双面铜箱基板100、第一铜箱层101、第二铜箱层102、第一极低介电胶层103、第一绝缘聚合物层104、第二绝缘聚合物层105、第三铜箱层201、第二极低介电胶层202、第二LCP聚合物层或第二氟系聚合物层203和第二聚酰亚胺层204。具体实施方式[0056]以下通过特定的具体实施例说明本发明的具体实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的优点及功效。本发明也可以其它不同的方式予以实施，即，在不背离本发明所揭示的范畴下，能予不同的修饰与改变。[0057]本发明中的“第一、第二”等，仅用于区别，并不限制本发明的保护范围。[0058]一种LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箱基板，包括第一铜箱层101、第二铜箱层102以及位于所述第一铜箱层和所述第二铜箱层之间的第一极低介电胶层103和至少一层绝缘聚合物层，所述第一铜箱层和所述第二铜箱层皆是靠近绝缘聚合物层的一面为内表面，所述第一铜箱层的内表面的Rz值为0.1-1.Ομπι，所述第二铜箱层的内表面的Rz值为0.1-1.Ομπι；[0059]每一所述绝缘聚合物层皆包括第一绝缘聚合物层104和第二绝缘聚合物层105中的至少一种，且至少一绝缘聚合物层为第一绝缘聚合物层，所述第一绝缘聚合物层为第一LCP聚合物层或第一氟系聚合物层中的至少一种，所述第二绝缘聚合物层为第一聚酰亚胺层；[0060]所述第一极低介电胶层是指Dk介电常数值为2.0-3.5IOGHz，且Df介电损耗因子值为〇·002-0·010IOGHz的胶层；[0061]所述第一聚酰亚胺层是指Dk值2.20-3.50IOGHz且Df值0.002-0.010IOGHz的绝缘聚合物层；[0062]所述双面铜箱基板的总厚度为9_220μπι;其中，所述第一铜箱层和所述第二铜箱层的厚度均为1-35μηι;所述第一极低介电胶层的厚度为2-50μηι;每一所述绝缘聚合物层的厚度均为5-50μηι。[0063]所述第一氟系聚合物层中的氟系聚合物选自聚四氟乙烯（PTFE、聚偏氟乙烯PVDF、氟乙烯与乙烯基醚共聚物FEVE、四氟乙烯与乙烯的共聚物ETFE、聚三氟氯乙烯与乙烯共聚物ECTFE、四氟乙烯、六氟丙烯与偏氟乙烯共聚物THV、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物PFA、聚三氟氯乙烯PCTFF、聚氯乙烯PVF、四氟乙烯-六氟丙稀共聚物FEP、乙烯-氟乙烯共聚物ETF及四氟乙烯-六氟丙烯-三氟乙烯共聚物TFB中的至少一种。[0064]所述第一铜箱层、所述第二铜箱层、所述第一极低介电胶层和所述绝缘聚合物层构成的叠构的整体吸水率在〇.01-1.5%。[0065]所述第一极低介电胶层与第二铜箱层之间、所述第一极低介电胶层与绝缘聚合物层之间、所述绝缘聚合物层与所述第一铜箱层之间以及所述绝缘聚合物层与所述第二铜箱层之间的接着强度均0·7kgfcm〇[0066]所述第一极低介电胶层的树脂材料为氟系树脂、环氧树脂、丙烯酸系树脂、胺基甲酸酯系树脂、硅橡胶系树脂、聚对环二甲苯系树脂、双马来酰亚胺系树脂和聚酰亚胺系树脂中的至少一种。[0067]所述第一极低介电胶层为含聚酰亚胺的热固性聚酰亚胺层，且所述聚酰亚胺的含量为所述第一极低介电胶层的总固含量的40-95%。[0068]实施方式1:一种LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箱基板，如图1所示，所述双面铜箱基板从上到下依次由第一铜箱层101、第一绝缘聚合物层104、第一极低介电胶层103、第一绝缘聚合物层104和第二铜箱层102组成。[0069]本实施例中，优选的，所述第一铜箱层和所述第二铜箱层的厚度均为6_18μπι;所述极低介电胶层的厚度为10-50Μ1;所述第一绝缘聚合物层的厚度为12.5-25μπι。[0070]所述第一铜箱层和所述第二铜箱层皆为压延铜箱层RAHAHAV2或电解铜箱层ED。[0071]本实施方式中，所述双面铜箱基板的制备方法按照下述步骤进行：[0072]步骤一、将LCP聚合物或氟系聚合物树脂涂布于第一铜箱层的一面，于60-100°C去除溶剂，然后在300°C下，IOhr使其反应，即生成一所述第一绝缘聚合物层；[0073]步骤二、将极低介电胶涂布于所述第一绝缘聚合物层的表面，并予以烘干，即得第一极低介电胶层；[0074]步骤三、将LCP聚合物或氟系聚合物树脂涂布于第二铜箱层的一面，于60-100°C去除溶剂，然后在300°C下，IOhr使其反应，即生成另一所述第一绝缘聚合物层；[0075]步骤四、在步骤三制得的第一绝缘聚合物层的外表面压合步骤二制得的第一极低介电胶层的表面；[0076]步骤五、收卷熟化，即得成品。[0077]所述双面铜箱基板的制备方法中，其中预压时间为10-30s，成型时间为120-180S，成型压力为90-1lOkgfcm2，压合温度为185±10°C，熟化温度为165-175Γ，熟化时间为50-70min〇[0078]实施方式2:—种LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箱基板，如图2所示，结构与实施方式1类似，不同之处在于:所述双面铜箱基板从上到下依次由第一铜箱层101、第一绝缘聚合物层104、第一极低介电胶层103、第二绝缘聚合物层105和第二铜箱层102组成。[0079]本实施方式中，所述双面铜箱基板的制备方法按照下述步骤进行：[0080]步骤一、将LCP聚合物或氟系聚合物树脂涂布于第一铜箱层的一面，于60-100°C去除溶剂，然后在300°C下，IOhr使其反应，即生成所述第一绝缘聚合物层；[0081]步骤二、将极低介电胶涂布于在第一绝缘聚合物层的另一面，并予以烘干及压合，即得所述第一极低介电胶层；[0082]步骤三、将聚酰亚胺涂布于所述第二铜箱层的一面，并予以烘干熟化及压合，即生成所述第二绝缘聚合物层；[0083]步骤四、在步骤三制得的第二绝缘聚合物层的外表面压合步骤二制得的第一极低介电胶层的表面；[0084]步骤五、收卷熟化，即得成品。[0085]实施方式3:—种LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箱基板，如图3所示，结构与实施方式1类似，不同之处在于:所述双面铜箱基板从上到下依次由第一铜箱层101、第一绝缘聚合物层104、第一极低介电胶层103和第二铜箱层102组成。[0086]所述第一铜箱层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层和第二铜箱层的总厚度为9-170μηι〇[0087]本实施方式中，所述双面铜箱基板的制备方法按照下述步骤进行：[0088]步骤一、将LCP聚合物或氟系聚合物树脂涂布于第一铜箱层的一面，于60-100°C去除溶剂，然后在300°C下，IOhr使其反应，即生成所述第一绝缘聚合物层；[0089]步骤二、将极低介电胶涂布于所述第一绝缘聚合物层的表面，并予以烘干，即得所述第一极低介电胶层；[0090]步骤三、在第一极低介电胶层的表面压合第二铜箱层；[0091]步骤五、收卷熟化，即得成品。[0092]实施方式4:一种LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箱基板，如图4所示，结构与实施方式1类似，不同之处在于:所述双面铜箱基板从上到下依次由第一铜箱层101、第一聚酰亚胺层105、第一极低介电胶层103、第一聚酰亚胺层105和第二铜箱层102组成。[0093]本实施方式中，所述双面铜箱基板的制备方法按照下述步骤进行：[0094]步骤一、将聚酰亚胺涂布于所述第一铜箱层的一面，并予以烘干熟化及压合，即生成一所述第二绝缘聚合物层；[0095]步骤二、将极低介电胶涂布于在第一绝缘聚合物层的另一面，并予以烘干及压合，即得所述第一极低介电胶层；[0096]步骤三、将聚酰亚胺涂布于所述第二铜箱层的一面，并予以烘干熟化及压合，即生成另一所述第二绝缘聚合物层；[0097]步骤四、在步骤三制得的第二绝缘聚合物层的外表面压合步骤二制得的第一极低介电胶层的表面；[0098]步骤五、收卷熟化，即得成品。[0099]一种具有所述的双面铜箱基板的FPC，所述FPC包括FRCC200和所述双面铜箱基板100，所述FRCC和所述双面铜箱基板相压合，所述FRCC包括第三铜箱层201、第二极低介电胶层202以及位于二者之间的第三绝缘聚合物层，所述第三铜箱层与所述第三绝缘聚合物层接触的一面为内表面，所述第三铜箱层的内表面的Rz值为0.1-1.Oym。[0100]实施方式5::—种FPC，定义FRCC压合于所述双面铜箱基板的上方，如图5所示，所述FRCC从上到下依次为:第三铜箱层201、第三绝缘聚合物层和第二极低介电胶层202，所述第三绝缘聚合物层为第二LCP聚合物层或第二氟系聚合物层203;所述双面铜箱基板从上到下依次为第一铜箱层101、第一绝缘聚合物层104、第一极低介电胶层103、第一绝缘聚合物层104和第二铜箱层102。[0101]本实施方式中，所述的FPC的制备方法，将FRCC和双面铜箱基板预压、压合并熟化，其中预压时间为10-30s，成型时间为120-180S，成型压力为90-110kgfcm2,压合温度为185±1〇°：，熟化温度为165-175°：，熟化时间为5〇-7〇1^11。[0102]较佳的是，成型压力为lOOkgfcm2,熟化温度为170°C，熟化时间为60min。[0103]其中，FRCC的制备方法中，其中预压时间为10-20s，成型时间为60-120s，成型压力为90-110kgfcm2，压合温度为185±10°C，熟化温度为165-175Γ，熟化时间为50-70min。[0104]较佳的是，成型压力为IOOkgfcm2，熟化温度为170°C，熟化时间为60min。[0105]实施方式6:—种FPC，如图6所示，结构与实施方式5类似，不同之处在于:所述FRCC从上到下依次为:第三铜箱层201、第三绝缘聚合物层和第二极低介电胶层202,所述第三绝缘聚合物层为第二LCP聚合物层或第二氟系聚合物层203;所述双面铜箱基板从上到下依次为第一铜箱层101、第一绝缘聚合物层104、第一极低介电胶层103、第一聚酰亚胺层105和第二铜箱层102。[0106]实施方式7:—种FPC，如图7所示，结构与实施方式5类似，不同之处在于:所述FRCC从上到下依次为:第三铜箱层201、第三绝缘聚合物层和第二极低介电胶层202,所述第三绝缘聚合物层为第二LCP聚合物层或第二氟系聚合物层203;所述双面铜箱基板从上到下依次为第一铜箱层101、第一绝缘聚合物层104、第一极低介电胶层103和第二铜箱层102。[0107]实施方式8:—种FPC，如图8所示，结构与实施方式5类似，不同之处在于:所述FRCC从上到下依次为:第三铜箱201、第三绝缘聚合物层和第二极低介电胶层202,所述第三绝缘聚合物层为第二聚酰亚胺层204;所述双面铜箱基板从上到下依次为第一铜箱层101、第一绝缘聚合物层104、第一极低介电胶层103、第一绝缘聚合物层104和第二铜箱层102。[0108]实施方式9:一种FPC，如图9所示，结构与实施方式5类似，不同之处在于:所述FRCC从上到下依次为:第三铜箱201、第三绝缘聚合物层和第二极低介电胶层202,所述第三绝缘聚合物层为第二聚酰亚胺层204;所述双面铜箱基板从上到下依次为第一铜箱层101、第一绝缘聚合物层104、第一极低介电胶层103、第一聚酰亚胺层105和第二铜箱层102。[0109]实施方式10:—种FPC，如图10所示，结构与实施方式5类似，不同之处在于:所述FRCC从上到下依次为:第三铜箱201、第三绝缘聚合物层和第二极低介电胶层202,所述第三绝缘聚合物层为第二聚酰亚胺层204;所述双面铜箱基板从上到下依次为第一铜箱层101、第一绝缘聚合物层104、第一极低介电胶层103和第二铜箱层102。[0110]实施方式11:一种FPC，如图10所示，结构与实施方式5类似，不同之处在于:所述FRCC从上到下依次为:第三铜箱层201、第三绝缘聚合物层和第二极低介电胶层202，所述第三绝缘聚合物层为第二LCP聚合物层或第二氟系聚合物层203;所述双面铜箱基板从上到下依次为第一铜箱层101、第一聚酰亚胺层105、第一极低介电胶层103、第一聚酰亚胺层105和第二铜箱层102。[0111]实施方式12:—种FPC，如图10所示，结构与实施方式5类似，不同之处在于:所述FRCC从上到下依次为:第三铜箱201、第三绝缘聚合物层和第二极低介电胶层202,所述第三绝缘聚合物层为第二聚酰亚胺层204;所述双面铜箱基板从上到下依次为第一铜箱层101、第一聚酰亚胺层105、第一极低介电胶层103、第一聚酰亚胺层105和第二铜箱层102。[0112]以下是本发明的实施方式1到实施方式4的具体的实施例，详见表1和表2所示。[0113]表1:[0114][0115]本发明的实施方式1到实施方式4的具体的实施例与现有技术的LCP板进行基本性能比较，如下表2记录。[0116]表2:[0118]注：1、实施例1到实施例4为实施方式1的实施例；实施例5和6为实施方式2的实施例;实施例9和实施例10为实施方式3的实施例;实施例7和实施例8为实施方式4的实施例。[0119]2、表1和表2性能指标的测试方法执行《软板组装要项测试准则》TPCA-F-002。[0120]由表2可知，本发明的双面铜箱基板具有极佳的性能，因此LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箱基板具有极佳的高速传输性、低热膨胀系数、在高温湿度环境下稳定的dkdf性能、超低吸水率、良好的UV镭射钻孔能力、适合高密度组装的低反弹力以及极佳的机械性能。[0121]本发明优于LCP膜和普通PI型BondSheet粘结片），适用于5G智能型手机、Applewatch智能手表等可穿戴设备。[0122]实施方式5到实施方式12的FPC包括第一、第二和第三铜箱层，即为具有三层铜箱层的FPC，结构合理，且本发明的FPC由FRCC和双面铜箱基板压合而成，压合后的FPC具有三层铜箱层，其中第三铜箱层和第二铜箱层为外侧的铜箱层，需要高温260°左右锡焊并搭载元器件，故对二者剥离强度要求较高〇.7kgfcm，而第一铜箱层为位于中间的内层铜箱层，也称讯号线铜箱层，主要用于导通线路，不需要经过SMT或其它高温制程搭载元器件，故对第一铜箱层与第二极低介电胶层的剥离强度要求较低，只需〇.5kgfcm即可，传统的观念中一直认为FPC中的铜箱层与其它层的接着强度在一定范围越大越好至少0.7kgfcm，越不容易分层脱落，大的接着强度一般需要铜箱层的Rz值较大，另由于铜箱层的信号传输过程中具有集肤效应，要实现高频高传输，则需要铜箱层的Rz值越小越好，故大的接着强度与高频高传输之间存在矛盾，而本发明的FPC由于第一铜箱层不需要经过SMT或其它高温制程搭载元器件，故对第一铜箱层与第二极低介电胶层的剥离强度要求较低，只需〉0.5kgfcm即可，因此第一铜箱层能够选择Rz值更低、电性更好、插入损耗更低的铜箱层，且不影响FPC的高频高传输性。[0123]以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

权利要求：1.一种LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箱基板（100，其特征在于:包括第一铜箱层（101、第二铜箱层（102以及位于所述第一铜箱层和所述第二铜箱层之间的第一极低介电胶层（103和至少一层绝缘聚合物层，所述第一铜箱层和所述第二铜箱层皆是靠近绝缘聚合物层的一面为内表面，所述第一铜箱层的内表面的Rz值为0.1-1.Ομπι，所述第二铜箱层的内表面的Rz值为0·1-1·Ομπι;每一所述绝缘聚合物层皆包括第一绝缘聚合物层（104和第二绝缘聚合物层（105中的至少一种，且至少一绝缘聚合物层为第一绝缘聚合物层，所述第一绝缘聚合物层为第一LCP聚合物层或第一氟系聚合物层中的至少一种，所述第二绝缘聚合物层为第一聚酰亚胺层；所述第一极低介电胶层是指Dk值为2.0-3.50，且Df值为0.002-0.010的胶层；所述第一聚酰亚胺层是指Dk值2.20-3.50且Df值0.002-0.010的绝缘聚合物层；所述双面铜箱基板的总厚度为9-220μπι;其中，所述第一铜箱层和所述第二铜箱层的厚度均为1-35μπι;所述第一极低介电胶层的厚度为2-50μπι;每一所述绝缘聚合物层的厚度均为5_50ym〇2.根据权利要求1所述的LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箱基板，其特征在于:所述第一氟系聚合物层中的氟系聚合物选自聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、氟乙烯与乙烯基醚共聚物、四氟乙烯与乙烯的共聚物、聚三氟氯乙烯与乙烯共聚物、四氟乙烯、六氟丙烯与偏氟乙烯共聚物、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物、聚三氟氯乙烯、聚氯乙烯、四氟乙烯-六氟丙稀共聚物、乙烯-氟乙烯共聚物及四氟乙烯-六氟丙烯-三氟乙烯共聚物中的至少一种。3.根据权利要求1所述的LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箱基板，其特征在于:所述第一铜箱层、所述第二铜箱层、所述第一极低介电胶层和所述绝缘聚合物层构成的叠构的整体吸水率在0.01-1.50%。4.根据权利要求1所述的LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箱基板，其特征在于:所述第一极低介电胶层与第二铜箱层之间、所述第一极低介电胶层与绝缘聚合物层之间、所述绝缘聚合物层与所述第一铜箱层之间以及所述绝缘聚合物层与所述第二铜箱层之间的接着强度均0.7kgfcm。5.根据权利要求1所述的LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箱基板，其特征在于:所述第一极低介电胶层的树脂材料为氟系树脂、环氧树脂、丙烯酸系树脂、胺基甲酸酯系树月旨、硅橡胶系树脂、聚对环二甲苯系树脂、双马来酰亚胺系树脂和聚酰亚胺系树脂中的至少一种。6.根据权利要求1所述的LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箱基板，其特征在于:所述第一极低介电胶层为含聚酰亚胺的热固性聚酰亚胺层，且所述聚酰亚胺的含量为所述第一极低介电胶层的总固含量的40-95%。7.根据权利要求1所述的LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箱基板，其特征在于:所述双面铜箱基板为下列三种结构中的一种：第一种、所述双面铜箱基板从上到下依次由第一铜箱层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层、第一绝缘聚合物层和第二铜箱层组成；第二种、所述双面铜箱基板从上到下依次由第一铜箱层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层、第二绝缘聚合物层和第二铜箱层组成；第三种、所述双面铜箱基板从上到下依次由第一铜箱层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层和第二铜箱层组成；所述第一铜箱层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层和第二铜箱层的总厚度为9-170um〇8.—种具有权利要求7所述的LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箱基板的FPC，其特征在于:所述FPC包括FRCC200和所述双面铜箱基板（100，所述FRCC和所述双面铜箱基板相压合，所述FRCC包括第三铜箱层（201、第二极低介电胶层202以及位于二者之间的第三绝缘聚合物层，所述第三铜箱层与所述第三绝缘聚合物层接触的一面为内表面，所述第三铜箱层的内表面的Rz值为0·1-1·Ομπι。9.一种具有权利要求8所述的LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箱基板的FPC，其特征在于:所述FPC为下列六中结构中的一种，定义FRCC压合于所述双面铜箱基板的上方：第一种、所述FRCC从上到下依次为:第三铜箱层、第三绝缘聚合物层和第二极低介电胶层，所述第三绝缘聚合物层为第二LCP聚合物层或第二氟系聚合物层203;所述双面铜箱基板从上到下依次为第一铜箱层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层、第一绝缘聚合物层和第二铜箱层；第二种、所述FRCC从上到下依次为:第三铜箱层、第三绝缘聚合物层和第二极低介电胶层，所述第三绝缘聚合物层为第二LCP聚合物层或第二氟系聚合物层;所述双面铜箱基板从上到下依次为第一铜箱层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层、第一聚酰亚胺层和第二铜箱层；第三种、所述FRCC从上到下依次为:第三铜箱层、第三绝缘聚合物层和第二极低介电胶层，所述第三绝缘聚合物层为第二LCP聚合物层或第二氟系聚合物层;所述双面铜箱基板从上到下依次为第一铜箱层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层和第二铜箱层；第四种、所述FRCC从上到下依次为:第三铜箱层、第三绝缘聚合物层和第二极低介电胶层，所述第三绝缘聚合物层为第二聚酰亚胺层204;所述双面铜箱基板从上到下依次为第一铜箱层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层、第一绝缘聚合物层和第二铜箱层；第五种、所述FRCC从上到下依次为:第三铜箱层、第三绝缘聚合物层和第二极低介电胶层，所述第三绝缘聚合物层为第二聚酰亚胺层;所述双面铜箱基板从上到下依次为第一铜箱层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层、第一聚酰亚胺层和第二铜箱层；第六种、所述FRCC从上到下依次为:第三铜箱层、第三绝缘聚合物层和第二极低介电胶层，所述第三绝缘聚合物层为第二聚酰亚胺层;所述双面铜箱基板从上到下依次为第一铜箱层、第一绝缘聚合物层、第一极低介电胶层和第二铜箱层。10.—种根据权利要求8所述的FPC的制备方法，其特征在于:将FRCC和双面铜箱基板预压、压合并熟化，其中预压时间为10-308，成型时间为120-1808，成型压力为90-1101^〇cm2,压合温度为185±10°C，熟化温度为165-175°C，熟化时间为50-70min。

百度查询： 昆山雅森电子材料科技有限公司 LCP或氟系聚合物高频高传输双面铜箔基板及FPC

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD