申请/专利权人：石家庄烽瓷电子技术有限公司

申请日：2023-08-08

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117040561B

主分类号：H04B1/40

分类号：H04B1/40;H05K7/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2023.11.28#实质审查的生效;2023.11.10#公开

摘要：本发明公开了一种基于HTCC的瓦片式多波束系统，涉及射频封装技术领域，所述系统包括：下基板组件、上基板组件以及天线板，所述下基板组件用于对接受的信号使用多组多功能芯片进行功分以及幅度和相位的调控，并且通过多组SMP接头以及波束合成网络以及合路芯片将信号进行整和或功分；所述上基板组件用于对末级信号进行放大处理；所述下基板组件与所述上基板组件之间通过PIN针互联结构进行连接，所述上基板组件与所述天线板之间通过连接结构进行连接。所述系统具有在空间上更加紧凑，更加小型化，散热效果更好等优点。

主权项：1.一种基于HTCC的瓦片式多波束系统，其特征在于包括：下基板组件、上基板组件以及天线板（1），所述下基板组件用于对接受的信号使用多组多功能芯片进行功分以及幅度和相位的调控，并且通过多组SMP接头、波束合成网络以及合路芯片将信号进行整和或功分；所述上基板组件用于对末级信号进行放大处理；所述下基板组件与所述上基板组件之间通过PIN针互联结构进行连接，所述上基板组件与所述天线板（1）之间通过连接结构进行连接；所述下基板组件包括下HTCC基板（2），所述下HTCC基板（2）的上表面及侧表面设置有第一金属热沉（3），所述下HTCC基板（2）的下表面设置有第二金属热沉（4），所述第一金属热沉（3）上形成有若干个第一凹槽（5），在每个所述第一凹槽（5）内各设置有一个第一芯片（6），所述第一芯片（6）与所述下HTCC基板（2）的上表面接触；所述第二金属热沉（4）上形成有若干个第二凹槽（7），所述第二凹槽（7）内分别形成有低频插座（8）、SMP接头（9）以及第二芯片（10）；低频插座（8）以及SMP接头（9）通过位于下HTCC基板（2）内的传输结构实现与第一芯片（6）以及第二芯片（10）的互联，所述第一芯片（6）通过位于下HTCC基板（2）内的传输结构实现与所述PIN针互联结构的下端连接；所述上基板组件包括上HTCC基板（12），所述上HTCC基板（12）的下表面形成有第三金属热沉（13），所述第三金属热沉（13）上形成有若干个第三凹槽（14），每个所述第三凹槽（14）内设置有一个第三芯片（15），所述第三芯片（15）的相关引脚通过位于所述上HTCC基板（12）内的传输结构实现与上HTCC基板（12）上表面的BGA球（16）连接，所述第三芯片（15）的相关引脚通过位于所述上HTCC基板（12）内的传输结构实现与所述PIN针互联结构的上端连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 石家庄烽瓷电子技术有限公司 基于HTCC的瓦片式多波束系统

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