申请/专利权人：华南理工大学

申请日：2019-11-18

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN110797441B

主分类号：H01L33/06

分类号：H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2020.03.10#实质审查的生效;2020.02.14#公开

摘要：本发明公开了具有InGaNGaNAlGaNGaN量子阱的LED外延薄膜及其制法与应用。所述LED外延薄膜包括n‑GaN,依次生长在n‑GaN上的MOCVD制备的InGaNGaNAlGaNGaN量子阱、电子阻挡层、p‑GaN层。本发明提出的高内量子效率近紫外LED外延薄膜的制备方法具有结构简单、效率高、可有效改善量子阱材料质量的特点，可广泛应用于近紫外、蓝光、黄绿光LED等领域。

主权项：1.具有InGaNGaNAlGaNGaN量子阱的LED外延薄膜，其特征在于，包括由下至上的n-GaN1、InGaNGaNAlGaNGaN量子阱2、电子阻挡层3和p-GaN4；所述InGaNGaNAlGaNGaN量子阱的InGaN阱的生长温度为700~900℃，GaN垒的生长温度与InGaN阱保持一致，AlGaN垒的生长温度为800~1000℃；所述InGaNGaNAlGaNGaN量子阱的周期数为1~10，每个周期的厚度为1~4nmInGaN1~3nmGaN3~10nmAlGaN1~3nmGaN，其中第一个量子阱的InGaN阱前以一个3~10nmAlGaN1~3nmGaN垒开始，最后一个量子阱的InGaN阱后以一个1~3nmGaN3~10nmAlGaN垒结束；所述InGaNGaNAlGaNGaN量子阱中InGaN的In组分为0.01~1，AlGaN的Al组分大于0、小于等于1；所述电子阻挡层为AlGaN或AlInGaN。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南理工大学 具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜及其制法与应用

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