申请/专利权人：星科金朋私人有限公司

申请日：2022-03-30

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN115295424B

主分类号：H01L21/50

分类号：H01L21/50;H01L21/56;H01L23/552;H01L23/31;H01L25/16

优先权：["20210504 US 17/307437"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2023.07.11#实质审查的生效;2022.11.04#公开

摘要：本公开涉及使用多个槽线来引导激光而在EMI屏蔽层中形成槽的方法和半导体器件。半导体器件具有在半导体封装上的屏蔽层。多个槽线限定用于在屏蔽层中形成槽的位置。通过利用由用于读取槽线的扫描仪控制的激光沿着槽线切割，在屏蔽层中形成槽。槽线包括左边界槽线和右边界槽线。可以通过以下步骤而在屏蔽层中切割槽：沿着槽线执行边缘切割，并且执行回剥以在屏蔽层中形成槽。替代地，可以通过以下步骤而在屏蔽层中切割槽：沿着槽线在第一方向上执行第一切割，并且沿着槽线在与第一方向相反的第二方向上执行第二切割以在屏蔽层中形成槽。

主权项：1.一种形成半导体器件的方法，包括：提供半导体封装；在所述半导体封装的表面上形成屏蔽层；在所述屏蔽层上提供多个槽线，所述多个槽线限定用于在所述屏蔽层中形成槽的位置；以及通过沿着所述多个槽线在所述位置处切割，在所述屏蔽层中形成所述槽，其中，所述槽停止在所述半导体封装的所述表面处。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 星科金朋私人有限公司 使用多个槽线来引导激光而在EMI屏蔽层中形成槽的方法和半导体器件

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