申请/专利权人：云南师范大学

申请日：2022-05-10

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN114970426B

主分类号：G06F30/367

分类号：G06F30/367;H01L31/0224;H01L21/66

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2024.04.12#著录事项变更;2022.09.16#实质审查的生效;2022.08.30#公开

摘要：本发明公开了一种计算断栅太阳电池总串联电阻的方法，包括如下步骤：设定细栅断裂是理想的断裂；设定细栅断裂对太阳电池体电阻、背电阻、主栅电阻不影响；设定载流子在太阳电池表面横向运动；建立薄层电阻、细栅电阻、接触电阻的相对电阻表达式,计算细栅断裂根数与断裂组数的三个电阻；建立薄层电阻、细栅电阻、接触电阻的相对电阻表达式,计算细栅断口大小与细栅断口位置的三个电阻；所述太阳电池的总串联电阻等于主栅电阻、细栅电阻、接触电阻、薄层电阻、体电阻、背接触电阻之和。本发明实现了对计算太阳电池总串联电阻的计算，在应用过程中不仅可以定量分析细栅断裂对太阳电池的影响，而且有利于预测光伏组件细栅断裂对发电量的损耗。

主权项：1.一种计算断栅太阳电池总串联电阻的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、设定细栅断裂是理想的断裂，即细栅断裂后，认为完全失去了工作能力，并且原先细栅间距s,现在增加为2nds,nd是连续细栅断裂根数；S2、设定细栅断裂对太阳电池体电阻、背电阻、主栅电阻不影响；S3、设定载流子在太阳电池表面横向运动；S4、基于上述设定，建立薄层电阻、细栅电阻、接触电阻的相对电阻表达式,计算细栅断裂根数与断裂组数的三个电阻： 公式1、2、3分别为引入断栅后太阳电池薄层电阻、细栅电阻、接触电阻的表达式，且Remitter,Rfinger,Rcontact分别为薄层电阻，细栅电阻以及接触电阻，ρ□为薄层电阻率，nd为断栅根数，b为细栅间距半宽，a为细栅总长，m为细栅断裂组数，n为细栅总根数，ρAg为银电阻率1.6×10-5Ω·mm，dfinger为细栅电极的厚度0.005mm，wf为finger的宽度，s为相邻两个细栅间距，Rsk为电极与半导体接触界面的薄层方块电阻，z为电极的长度，lt为TLM模型传输长度S5、基于上述设定，建立薄层电阻、细栅电阻、接触电阻的相对电阻表达式,计算细栅断口大小与细栅断口位置的三个电阻： 公式4、5、6分别为引入断栅后太阳电池薄层电阻、细栅电阻、接触电阻的表达式，式中，Remitter,Rfinger,Rcontact分别为薄层电阻、细栅电阻以及接触电阻，xf为细栅断口位置，xd为细栅断口大小，ρ□为薄层电阻率，s为相邻两个细栅间距，lf为细栅总长，ρAg为银电阻率，1.6×10-5Ω·mm，df为细栅电极的厚度0.005mm，wf为finger的宽度，Rsk为电极与半导体接触界面的薄层方块电阻，z为电极的长度，lt为TLM模型传输长度S5：基于上述步骤S1-S4，所述太阳电池的总串联电阻等于主栅电阻、细栅电阻、接触电阻、薄层电阻、体电阻、背接触电阻之和，表达式如下：Rs＝Remitter+Rfinger+Rcontact+Rbus+Rbase+Rbc6式中，Rbus为主栅电阻，Rbase为太阳电池体电阻，Rbc为太阳电池背接触电阻。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 云南师范大学 一种计算断栅太阳电池总串联电阻的方法

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