申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-07-06

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936504A

主分类号：H01L23/498

分类号：H01L23/498;H01L23/50;H01L27/088

优先权：["20221026 KR 10-2022-0139364"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.26#公开

摘要：公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：有源图案，在基底上；源极漏极图案；第一分离结构和第二分离结构，其中，相邻的源极漏极图案置于第一分离结构与第二分离结构之间；层间绝缘层，在源极漏极图案以及第一分离结构和第二分离结构上；贯穿过孔，在相邻的源极漏极图案之间，穿透层间绝缘层并且朝向基底延伸，其中，贯穿过孔的顶部与层间绝缘层的顶部共面；介电层，选择性地在层间绝缘层的顶部并且打开贯穿过孔的顶部；电源过孔，通过介电层引导以连接到贯穿过孔的顶部；电源线，在电源过孔上并且通过电源过孔电连接到贯穿过孔；电源输送网络层，在基底的底部上；以及下导体，在贯穿过孔下方。

主权项：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源图案，在基底上彼此相邻；源极漏极图案，彼此相邻且分别在有源图案上；第一分离结构和第二分离结构，与有源图案交叉，其中，相邻的源极漏极图案置于第一分离结构和第二分离结构之间；层间绝缘层，在源极漏极图案以及第一分离结构和第二分离结构上；贯穿过孔，在相邻的源极漏极图案之间，贯穿过孔穿透层间绝缘层并且朝向基底延伸，其中，贯穿过孔的顶表面与层间绝缘层的顶表面共面；介电层，选择性地设置在层间绝缘层的顶表面上，介电层打开贯穿过孔的顶表面；电源过孔，通过介电层引导以连接到贯穿过孔的顶表面；电源线，设置在电源过孔上，电源线通过电源过孔电连接到贯穿过孔；电源输送网络层，在基底的底表面上；以及下导体，在电源输送网络层与贯穿过孔之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体装置

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