申请/专利权人：北京弘图半导体有限公司

申请日：2023-12-11

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117939317A

主分类号：H04N25/51

分类号：H04N25/51;H04N25/70

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明提供一种双转换增益像素单元及图像传感器，所述像素单元包括：双转换增益晶体管、第一浮动扩散节点电容以及第二浮动扩散节点电容，节点电容包括结电容和金属电容，其中，双转换增益晶体管与第二浮动扩散节点结电容设置在不同区域。本发明将双转换增益晶体管与第二浮动扩散节点结电容设置在不同区域，即第二浮动扩散节点结电容单独设置，提出了解决小尺寸像素对DCG结电容面积限制进而限制LCG值的问题的版图设计方法，在保证HCG值不变的基础上有效减小了LCG值，增大了HCG与LCG比值且使此值可根据需求调节，在更低LCG的基础上可以读出更高的FWC，提高了DR范围，为SNR的改进提供了可能。

主权项：1.一种双转换增益像素单元，其特征在于，包括：双转换增益晶体管、第一浮动扩散节点电容以及第二浮动扩散节点电容，节点电容包括结电容和金属电容，其中，所述双转换增益晶体管与第二浮动扩散节点结电容设置在不同区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京弘图半导体有限公司 双转换增益像素单元及图像传感器

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