申请/专利权人:苏州汉骅半导体有限公司
申请日:2023-12-26
公开(公告)日:2024-04-26
公开(公告)号:CN117936403A
主分类号:H01L21/66
分类号:H01L21/66;G01R1/02;G01N1/28;H01L21/3065;H01L29/778;H01L21/335
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要:本发明公开了一种GaNHEMT外延材料霍尔测试样品,所述霍尔测试样品自下向上依次包括衬底单元、GaNHEMT外延结构单元,所述GaNHEMT外延结构单元上表面的四个角处设置有电极区域,所述每个电极区域设置有多个凹槽,所述凹槽底部位于所述GaNHEMT外延结构单元的沟道层;还包括金属电极,对应设置在所述每个电极区域,所述金属电极覆盖所述凹槽。通过ICP干法刻蚀在电极区域形成多个凹槽后,可以增加后续沉积的金属电极同GaNHEMT外延层的接触面积,从而降低接触电阻,使测量结果更加准确。
主权项:1.一种GaNHEMT外延材料霍尔测试样品,所述霍尔测试样品自下向上依次包括衬底单元、GaNHEMT外延结构单元,所述GaNHEMT外延结构单元上表面的四个角处设置有电极区域,其特征在于,所述每个电极区域设置有多个凹槽,所述凹槽底部位于所述GaNHEMT外延结构单元的沟道层;还包括金属电极,对应设置在所述每个电极区域,所述金属电极覆盖所述凹槽。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 苏州汉骅半导体有限公司 一种GaN HEMT外延材料霍尔测试样品及其制备方法
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