申请/专利权人：西安龙飞电气技术有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936384A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明提出了一种集成TJBS的SiCDTMOSFET及其制备方法。本发明将多次外延技术、沟槽技术、P+导电性L型屏蔽层阱区以及集成TJBS二极管等相结合，不仅抑制体二极管的双极退化，降低体二极管的正向压降VF，同时提高开关性能。不仅缩小元胞尺寸，显著的降低比导通电阻Ron,sp，节约封装成本；同时降低器件二极管的正向导通压降、提高器件的开关速度，提高抗浪涌能力。

主权项：1.一种集成TJBS的SiCDTMOSFET的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤一：在N+型SiC衬底（101）表面上分别生长第一N--型外延层（102）以及第二N-外延层（103）；步骤二：沟槽刻蚀技术形成第一沟槽（104）作为源极沟槽，通过光刻技术形成离子注入掩膜层或HardMask，之后在沟槽内壁及一侧的表面形成有源区第一P-导电性阱区（105），在表面的第一P-导电性阱区（105）位置形成有源区第一N+导电性阱区（106），去除掩膜层；步骤三：通过沟槽刻蚀技术，在第一N+导电性阱区（106）与第一沟槽（104）对侧形成第二沟槽（107）作为栅极沟槽；步骤四：制备图形化的刻蚀掩膜层，利用掩膜层，通过离子注入技术在第一沟槽（104）底部形成有源区第一P+导电性阱区（108），第二沟槽（107）底部与另一侧的侧壁均通过离子注入形成有源区第二P+导电性L型屏蔽层阱区（109），刻蚀掩膜层；步骤五：对第二沟槽（107）进行钝化以及高温退火处理，在第二沟槽（107）栅极沟槽表面生长栅极介质层（110），进行高温退火；在栅极介质层（110）上表面生长多晶硅（111）形成栅电极；步骤六：通过沟槽刻蚀技术形成第三沟槽（113），为TJBS沟槽，第三沟槽（113）在第二P+导电性L型屏蔽层阱区（109）与第一沟槽（104）之间，且一侧连通第一沟槽（104）；步骤七：淀积隔离介质层，在第一沟槽（104）、有源区第一N+导电型阱区（106）上方以及第二沟槽（107）上表面，淀积第一层金属（114）形成源极欧姆接触层；在有源区第二P+导电性L型屏蔽层阱区（109）侧壁的上方及与第三沟槽（113）的接触侧壁淀积第二层金属（115），形成肖特基型接触结，且延伸至第一层金属（114）在第一沟槽（104）源极沟槽底部连接；最后器件背面SiC衬底（101）下表面淀积第三层金属（116），形成漏极欧姆接触层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安龙飞电气技术有限公司 集成TJBS的SiC DTMOSFET及其制备方法

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