申请/专利权人：天通控股股份有限公司;浙江天通电子信息材料研究院有限公司

申请日：2024-03-25

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936217A

主分类号：H01F1/147

分类号：H01F1/147;H01F1/24;H01F41/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了一种高磁导率低损耗纳米晶复合磁粉心及其制备方法，涉及磁性材料技术领域，具体由水气联合雾化FeSiBCuNb纳米晶粉末、FeNi粉末、包覆剂和润滑剂组成，制备工艺主要包括：绝缘包覆、加润滑剂、热压成型和退火处理，制得的纳米晶复合磁粉心成型密度能提高10%‑20%，高达6.67gcm3，磁粉心损耗低，而且具有较高的磁导率，磁导率µ55（100kHz），功率损耗Pcv110kWm3（25℃，50mT100kHz），Pcv500kWm3（25℃，100mT100kHz）。本发明方法制备工艺简单，成型性好，提高产品生产效率。

主权项：1.一种高磁导率低损耗纳米晶复合磁粉心，其特征在于，由水气联合雾化FeSiBCuNb纳米晶粉末、FeNi粉末、包覆剂和润滑剂组成，其中FeSiBCuNb纳米晶粉末的粒径为15-30μm，FeNi粉末粒径为3-10μm，以两者的混合粉末A重量为计算基础，FeSiBCuNb纳米晶粉末重量占40-60%，FeNi粉末重量占40-60%，包覆剂主要由有机硅树脂与硅烷偶联剂在乙醇溶液中混合而成；其中，FeSiBCuNb纳米晶粉末和FeNi粉末的混合粉末A在依次通过包覆处理、添加润滑剂后，需进行热压成型处理，热压温度为150℃-220℃，成型压力为500-1000Mpa。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天通控股股份有限公司;浙江天通电子信息材料研究院有限公司 一种高磁导率低损耗纳米晶复合磁粉心及其制备方法

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