申请/专利权人：深圳市国碳半导体科技有限公司

申请日：2024-02-04

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117926402A

主分类号：C30B23/00

分类号：C30B23/00;C30B29/36

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了一种提高碳化硅原料利用率的坩埚结构，包括坩埚主体和石墨环，其中，坩埚主体的腔室内设有第一多孔套筒和第二多孔套筒，第一多孔套筒和第二多孔套筒同轴设置，且第一多孔套筒的截面直径大于第二多孔套筒的截面直径；第一多孔套筒和第二多孔套筒之间形成用于盛放碳化硅原料的原料腔；石墨环的一面与坩埚主体的连接，另一面设有籽晶盖，籽晶盖位于腔室内的一面形成有用于晶体生长的籽晶；通过第一多孔套筒和第二多孔套筒相配合，第二多孔套筒的内筒形成隔离区域，使得碳化硅原料内部径向距离减小，内部温差也减小，降低了碳化硅原料的表面结晶的情况，构建出更为合适8寸晶体生长环境。

主权项：1.一种提高碳化硅原料利用率的坩埚结构，其特征在于，包括：坩埚主体，所述坩埚主体的腔室内设有第一多孔套筒和第二多孔套筒，所述第一多孔套筒和所述第二多孔套筒同轴设置，且所述第一多孔套筒的截面直径大于所述第二多孔套筒的截面直径；所述第一多孔套筒和所述第二多孔套筒之间形成用于盛放碳化硅原料的原料腔；石墨环，所述石墨环的一面与所述坩埚主体的连接，另一面设有籽晶盖，所述籽晶盖位于所述腔室内的一面形成有用于晶体生长的籽晶。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市国碳半导体科技有限公司 一种提高碳化硅原料利用率的坩埚结构

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