申请/专利权人：成都电科星拓科技有限公司

申请日：2024-03-21

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936393A

主分类号：H01L21/48

分类号：H01L21/48;H01L23/373;H01L23/367;C25D7/12;C25D5/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了一种在单颗芯片背面制作散热盖的方法及封装方法。为解决大功耗倒装芯片封装时，如何制作高精度且符合各种形状的散热盖的技术问题，本发明在芯片背面用电镀工艺制作散热盖，根据实际需要的散热盖形状准备光掩膜板，利用光掩膜板对晶圆背面铺设的第一光阻层先后进行曝光和显影后，在晶圆背面电镀金属，以形成需要的散热盖形状，紧接着去除多余的材料层，最后将晶圆切割成单颗芯片。本发明的散热盖与单颗芯片一体成型，可便利地根据需求调整散热盖形状，灵活性更好、精度更高。

主权项：1.一种在单颗芯片背面制作散热盖的方法，其特征在于，所述在单颗芯片背面制作散热盖的方法包括：步骤S1：根据晶圆上单颗芯片的排列及各单颗芯片上需要的散热盖形状制作光掩膜板；步骤S2：在晶圆背面溅射金属导电种子层；步骤S3：在晶圆背面铺设光阻层形成第一光阻层，在晶圆正面铺设光阻层形成第二光阻层；步骤S4：利用所述光掩膜板，对晶圆背面的第一光阻层先后进行曝光和显影；步骤S5：在晶圆背面电镀金属，以形成需要的散热盖形状；步骤S6：去除光阻层和金属导电种子层；步骤S7：切割，将晶圆切割成单颗芯片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都电科星拓科技有限公司 在单颗芯片背面制作散热盖的方法及封装方法

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