申请/专利权人：朗姆研究公司

申请日：2022-08-29

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117941026A

主分类号：H01J37/32

分类号：H01J37/32;H01L21/67

优先权：["20210901 US 63/239,664"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：用于移除累积于晶片边缘的边缘珠的系统和设备包含：第一电极，其设置在用于处理室内的喷嘴的中央中；和第二电极，其嵌于围绕第一电极的介电材料内。第一通道被限定在第一电极与介电材料之间并用于从第一气体源接收第一气体。第二通道被限定在介电材料与喷嘴的外壁之间并用于接收第二气体。RF电源被耦合至喷嘴以将RF功率提供至电极而产生第一气体的等离子体自由基。位于喷嘴的底部处的开口用于朝向位于喷嘴下方的晶片的边缘提供等离子体自由基的加压流。

主权项：1.一种被设置于外壳中的喷嘴，所述外壳被限定在用于处理晶片的处理室的上部内，所述喷嘴用于移除累积于所述晶片的边缘上的边缘珠，所述喷嘴包含：第一电极，其被限定在所述喷嘴的本体的中央；介电材料，其被设置成围绕所述本体内的所述第一电极；第一通道，其被限定在所述第一电极与所述介电材料之间，所述第一通道的第一端通过第一入口而耦合至第一气体源以将第一气体接收在所述第一通道中，且被限定在所述第一通道的底部处的第二端包含开口；第二电极，其嵌于所述介电材料内；以及射频RF电源，其被耦合至所述喷嘴并被配置成提供RF功率以产生被限定在所述第一电极与所述第二电极之间的所述第一通道中所接收的所述第一气体的等离子体，其中所述第一通道中的所述开口被配置成在操作期间朝向所述晶片的边缘的被设置在所述处理室中的所述喷嘴的下方的部分提供在所述第一通道中所产生的所述等离子体的自由基的加压流。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 朗姆研究公司 用于等离子体处理的电极-介电喷嘴

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