申请/专利权人：诺瓦尔德股份有限公司

申请日：2022-09-19

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117941486A

主分类号：H10K85/30

分类号：H10K85/30;H10K50/818;H10K50/17

优先权：["20210920 EP 21197750.9"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.26#公开

摘要：本发明涉及一种有机电子器件，所述有机电子器件包含基底、阳极层、阴极层、至少一个第一发光层和空穴注入层，其中所述空穴注入层包含金属络合物，其中所述金属络合物具有式I。

主权项：1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包含基底、阳极层、阴极层、至少一个第一发光层和空穴注入层，其中所述空穴注入层包含金属络合物，其中所述金属络合物具有式I： 其中M是金属；L是与金属M配位的电荷中性配体；n是选自1至4的整数，其对应M的氧化数；m是选自0至2的整数；R1和R3独立地选自H、D、取代或未取代的C1至C12烷基、取代或未取代的C1至C12烷氧基、取代或未取代的C6至C24芳基和取代或未取代的C2至C24杂芳基基团，其中至少一个取代基选自卤素、F、Cl、CN、取代或未取代的C1至C12烷基、部分氟化或全氟化的C1至C12烷基、取代或未取代的C1至C12烷氧基、部分氟化或全氟化的C1至C12烷氧基、取代或未取代的C6至C18芳基和取代或未取代的C2至C18杂芳基，其中所述取代或未取代的C1至C12烷基、取代或未取代的C1至C12烷氧基、取代或未取代的C6至C18芳基和取代或未取代的C2至C18杂芳基的取代基选自卤素、F、Cl、CN、C1至C6烷基、CF3、OCH3、OCF3；R2选自CN、C1至C4烷基、部分氟化或全氟化的C1至C4烷基或F；所述阳极层包含第一阳极子层和第二阳极子层，其中所述第一阳极子层包含逸出功在≥4且≤6ev范围内的第一金属，或所述第一阳极子层包含选自Ag、Mg、Al、Cr、Pt、Au、Pd、Ni、Nd、Ir的第一金属；所述第二阳极子层包含透明导电氧化物；所述空穴注入层布置在所述第一发光层和所述阳极层之间，所述第一阳极子层布置得更靠近所述基底，并且所述第二阳极子层布置得更靠近所述空穴注入层；其中式I不包括化合物A1至A18：

全文数据：

权利要求：

百度查询： 诺瓦尔德股份有限公司 包含至少一种式(I)的金属络合物的有机电子器件

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