申请/专利权人：厦门大学;嘉庚创新实验室

申请日：2023-12-12

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117934985A

主分类号：G06V10/774

分类号：G06V10/774;G06V10/764;G06T7/73;G06T7/00;G06V10/44;G06V10/26;G06V10/52;G06V10/80;G06V10/75;G06V10/82;G06N3/0464;G06N3/0455;G06N3/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了半导体缺陷检测模型训练方法及半导体缺陷检测方法，包括：获取半导体样本的外场调制发光强度分布图像、样品光谱图像和荧光寿命图像；将外场调制发光强度分布图像、样品光谱图像和荧光寿命图像融合，生成半导体样品的组合图像；对组合图像进行定位分割，识别得到组合图像中的缺陷区域及类别；基于半导体样本对应的缺陷区域及类别标签和识别得到组合图像中的缺陷区域及类别，进行模型训练，得到半导体缺陷检测模型，本发明通过外场调制发光强度信息、光谱信息与荧光寿命信息结合进行缺陷检测，提高了检测效率和准确性，实现了对缺陷种类的可靠识别，为制备高效稳定的半导体光电器件提供高效的检测方案。

主权项：1.一种半导体缺陷检测模型训练方法，其特征在于，所述方法包括：获取半导体样本的外场调制发光强度分布图像、样品光谱图像和荧光寿命图像；将所述外场调制发光强度分布图像、样品光谱图像和所述荧光寿命图像融合，生成所述半导体样品的组合图像；对所述组合图像进行定位分割，识别得到所述组合图像中的缺陷区域及类别；基于所述半导体样本对应的缺陷区域及类别标签和识别得到所述组合图像中的缺陷区域及类别，进行模型训练，得到半导体缺陷检测模型。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门大学;嘉庚创新实验室 半导体缺陷检测模型训练方法及半导体缺陷检测方法

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