申请/专利权人：华东理工大学;上海玻纳电子科技有限公司

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117923418A

主分类号：B81C1/00

分类号：B81C1/00;B01L3/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了一种无掩膜快速加工硅微结构的方法。本发明所述方法首先通过设计加工文件，再激光诱导硅晶片表面形成烧蚀区域，然后经两次酸洗后，通过湿法腐蚀即可得到含有微结构的硅晶片。本发明通过激光直写和湿法腐蚀结合可以直接在单晶硅表面形成微通道腔室，无需掩膜沉积和光刻工艺，降低工艺难度，缩短了制造时间，能够制造符合设计需要的微流控芯片。

主权项：1.一种无掩膜快速加工硅微结构的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1在电脑程序中设计硅晶片上的微结构的布局和激光加工路径，生成加工文件；2将硅晶片置于加工平台上，经氮气吹扫后，打开激光加工系统，导入加工文件，通过激光诱导硅晶片表面形成烧蚀区域；3再取下硅晶片，经氮气吹扫、清洗后，进行两次酸洗，然后再清洗、氮气吹扫；4再通过湿法腐蚀、清洗、氮气吹扫后，得到含有微结构的硅晶片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华东理工大学;上海玻纳电子科技有限公司 一种无掩膜快速加工硅微结构的方法

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