申请/专利权人：北京航空航天大学

申请日：2024-01-19

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117939989A

主分类号：H10N10/01

分类号：H10N10/01;H10N10/855;B41M5/00

优先权：["20231116 CN 2023115311784"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：基于激光烧结纳米微粒制造熔融模态半导体线路的方法，涉及半导体材料领域，包括纳米微粒墨水制备；线路喷墨打印；将打印好沉积线路的基板进行预热处理，预热温度为20‑400℃；调整连续波的激光器光斑直径为0.2‑0.3mm；设置激光扫描路径为之字形模式；调整激光功率18‑22W，扫描速度800‑1000mms，扫描线间距0.004‑0.005mm，对沉积线路进行单次激光烧结。本发明能够避免半导体材料气化问题，且不受基底材料尺寸限制，通过调控激光能量密度或调控预热温度可实现纳米微粒在大范围内的生长程度调控，由本发明制造的熔融模态半导体线路制备出的热电偶在高温下展现高稳定且优异的热电性能。

主权项：1.基于激光烧结纳米微粒制造熔融模态半导体线路的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、纳米微粒墨水制备；步骤二、线路喷墨打印；先将基板进行超声清洗，再用异丙醇、乙醇和超纯水依次处理后进行干燥；在波形下获得纳米微粒墨水的稳定液滴；控制基板温度为115℃-125℃，设置打印参数和打印图案开始打印，获得打印好沉积线路的基板；步骤三、线路激光烧结；将打印好沉积线路的基板进行预热处理，预热温度为20℃-400℃；调整连续波的激光器光斑直径为0.2mm-0.3mm；设置激光扫描路径为之字形模式；调整激光功率为18W-22W，扫描速度为800mms-1000mms，扫描线间距为0.004mm-0.005mm，开始对沉积线路进行单次激光烧结。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京航空航天大学 基于激光烧结纳米微粒制造熔融模态半导体线路的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD