申请/专利权人：华南理工大学;上海空间电源研究所

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936624A

主分类号：H01L31/109

分类号：H01L31/109;H01L31/0336;H01L31/0224;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明提供一种p‑GaSn‑GaNII型异质结自驱动紫外光探测器，由下至上依次包括：衬底层、第一缓冲层、第二缓冲层和n‑GaN层；所述n‑GaN层上设置p‑GaS层和第一金属电极；所述p‑GaS层上设置第二金属电极。本发明提供了一种先采用MOCVD高温外延方法在Si衬底上生长第一缓冲层、第二缓冲层，然后在缓冲层上生长n‑GaN层，抑制相分离，实现高质量n‑GaN材料的生长，解决了GaN材料自身容易发生相分离，使得p型掺杂较为困难的问题，且MOCVD适合大面积材料生长，可获得大面积n‑GaN薄膜。

主权项：1.一种p-GaS-GaNII型异质结自驱动紫外光探测器，其特征在于，由下至上依次包括：衬底层、第一缓冲层、第二缓冲层和n-GaN层；所述n-GaN层上设置p-GaS层和第一金属电极；所述p-GaS层上设置第二金属电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南理工大学;上海空间电源研究所 一种p-GaS/n-GaN II型异质结自驱动紫外光探测器及其制备方法与应用

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD