申请/专利权人：江苏宏微科技股份有限公司

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936572A

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明提供一种双向RC‑MPTIGBT器件，包括：N‑漂移区；N型载流子存储层，N型载流子存储层位于N‑漂移区之上；P型阱区，P型阱区位于N型载流子存储层之上；元胞结构，元胞结构为多个，多个元胞结构位于N‑漂移区的上部，且位于N型载流子存储层和P型阱区之中；虚拟元胞结构，虚拟元胞结构为多个，多个虚拟元胞结构位于N‑漂移区的上部，每个虚拟元胞结构包括两个虚拟元胞和位于两个虚拟元胞之间的N‑漂移区、N型载流子存储层和N++离子注入区；发射极金属层，发射极金属层位于P型阱区和N++离子注入区之上；绝缘层，绝缘层位于发射极金属层之上；控制发射极金属层，控制发射极金属层位于绝缘层之上。

主权项：1.一种双向RC-MPTIGBT器件，其特征在于，包括：N-漂移区；N型载流子存储层，所述N型载流子存储层位于所述N-漂移区之上；P型阱区，所述P型阱区位于所述N型载流子存储层之上；元胞结构，所述元胞结构为多个，多个所述元胞结构位于所述N-漂移区的上部，且位于所述N型载流子存储层和所述P型阱区之中；虚拟元胞结构，所述虚拟元胞结构为多个，多个所述虚拟元胞结构位于所述N-漂移区的上部，每个所述虚拟元胞结构包括两个虚拟元胞和位于两个所述虚拟元胞之间的所述N-漂移区、N型载流子存储层和N++离子注入区；发射极金属层，所述发射极金属层位于所述P型阱区和所述N++离子注入区之上；绝缘层，所述绝缘层位于所述发射极金属层之上；控制发射极金属层，所述控制发射极金属层位于所述绝缘层之上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏宏微科技股份有限公司 双向RC-MPT IGBT器件及其制作方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD