申请/专利权人：西电芜湖研究院有限责任公司

申请日：2024-01-26

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936671A

主分类号：H01L33/12

分类号：H01L33/12;H01L33/16;H01L33/00;C30B25/18;C30B29/40

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：一种Si基GaN外延低位错薄膜及其制备方法，属于半导体技术领域，该薄膜包括从下至上依次层叠设置的Si衬底、AlN成核层、线性AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlN阻挡层、AlGaN势垒层及Gap帽层，本发明利用线性AlGaN缓冲层能够有效降低氮化镓外延层中的位错密度，得到高质量的AlGaNGaN异质结外延材料。

主权项：1.一种Si基GaN外延低位错薄膜，其特征在于，包括从下至上依次层叠设置的Si衬底1、AlN成核层2、线性AlGaN缓冲层3、GaN沟道层4、AlN插入层5、AlGaN势垒层6及Gap帽层7，所述AlGaN缓冲层中Al组份的含量由100％线性降低至0％。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西电芜湖研究院有限责任公司 一种Si基GaN外延低位错薄膜及其制备方法

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