申请/专利权人：北京爱瑞思光学仪器有限公司

申请日：2022-03-11

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN115070512B

主分类号：B24B1/00

分类号：B24B1/00;B24B29/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本申请公开了一种锗晶片的双抛工艺、装置及锗晶片，用于同时对锗晶片进行双面抛光，其中，包括：第一粗抛工序采用第一粗抛光液和第一抛光布；第二粗抛工序采用第二粗抛光液和第一抛光布；第一精抛工序采用第一细抛光液和第二抛光布；第二精抛工序采用第二细抛光液和第二抛光布；各工序中转速的关系为：第一粗抛工序＜第二粗抛工序＜第一精抛工序＜第二精抛工序；第一抛光布的硬度大于第二抛光布的硬度；各工序中抛光温度为35℃～40℃。本申请实施例提供的锗晶片的双抛工艺，采用两次粗抛和两次精抛的组合方式，通过匹配不同的参数，实现化学抛光和机械抛光之间的匹配，实现锗晶片的快速抛光，并取得较好的精抛表面质量。

主权项：1.一种锗晶片的双抛工艺，其特征在于，用于同时对锗晶片进行双面抛光，其中，包括：第一粗抛工序，采用第一粗抛光液和第一抛光布；第二粗抛工序，采用第二粗抛光液和第一抛光布；第一精抛工序，采用第一细抛光液和第二抛光布；第二精抛工序，采用第二细抛光液和第二抛光布；其中，所述第一粗抛光液和所述第二粗抛光液的pH值呈碱性，所述第一粗抛光液包括：0号磨料、氧化剂、碱性pH调节剂，所述碱性pH调节剂为有机碱；所述第二粗抛光液包括：0号磨料、氧化剂、碱性pH调节剂，所述碱性pH调节剂包括有机胺碱和磷酸氢二铵；所述第一抛光布为聚氨酯内填充有氧化铈；所述第一细抛光液和所述第二细抛光液的pH值呈酸性；所述第一细抛光液包括：1号磨料、酸性pH调节剂，所述酸性pH调节剂为有机酸；所述第二细抛光液包括：2号磨料、酸性pH调节剂，所述酸性pH调节剂为有机酸；所述第二抛光布为纤维复合物；各抛光液中磨料的粒度大小关系为：0号磨料＞1号磨料＞2号磨料；各工序中转速的关系为：第一粗抛工序＜第二粗抛工序＜第一精抛工序＜第二精抛工序；所述第一抛光布的硬度大于所述第二抛光布的硬度；各工序中抛光温度为35℃~40℃。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京爱瑞思光学仪器有限公司 一种锗晶片的双抛工艺、装置及锗晶片

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