申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司

申请日：2023-09-01

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117175347B

主分类号：H01S5/042

分类号：H01S5/042

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2023.12.22#实质审查的生效;2023.12.05#公开

摘要：本发明提出了一种半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层和p型接触层，所述p型接触层中具有Mg掺杂浓度分布、Al组分分布、In组分分布、Si掺杂浓度分布、C含量浓度分布、H含量浓度分布和O含量浓度分布。本发明通过在半导体激光器的p型接触层中设计Mg掺杂浓度分布、Al组分分布、In组分分布、Si掺杂浓度分布、C含量浓度分布、H含量浓度分布和O含量浓度分布，能够极大地提升半导体激光器p型接触层的空穴离化效率和空穴浓度，降低接触电阻和串联电阻，降低激光器的电压和提升Run与Run间的电压稳定性，电压从7.5V下降至4.5V以下，解决结电压上跳的不连续或突变现象。

主权项：1.一种氮化物半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层和p型接触层，其特征在于，所述p型接触层中具有Mg掺杂浓度分布、Al组分分布、In组分分布、Si掺杂浓度分布、C含量浓度分布、H含量浓度分布和O含量浓度分布；所述p型接触层的Mg掺杂浓度分布呈指数函数分布，Y=aX,0＜a＜1；所述p型接触层的Al组分分布呈两段的一次函数分布，其中，靠近上限制层方向的第一段一次函数的斜率小于靠近p型接触层方向的第二段一次函数的斜率；所述p型接触层的In组分分布呈倒V型分布；所述p型接触层的Si掺杂浓度分布呈指数函数分布，Y=bX,0＜b＜1；所述p型接触层的H含量浓度分布呈指数函数分布，Y=cX,0＜c＜1；所述p型接触层的O含量浓度分布呈指数函数分布，Y=dX,0＜d＜1；所述p型接触层的C含量浓度分布呈指数函数分布，Y=eX,0＜e＜1。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种半导体激光器

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