申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学

申请日：2022-06-07

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN114914312B

主分类号：H01L31/0224

分类号：H01L31/0224;H01L31/109;H01L31/18;C23C14/35;C23C14/08

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2022.09.02#实质审查的生效;2022.08.16#公开

摘要：本发明公开了一种日盲紫外探测器及其制备方法，日盲紫外探测器包括衬底、设置在衬底表面的VO2层、设置在VO2层表面的Ga2O3层、设置在Ga2O3层表面的电极，电极呈梳状结构。本申请公开的上述技术方案，将异质结设置为VO2层，当VO2层温度升高时，可以直接诱导VO2层的绝缘态‑金属态可逆相变，因此，相对于只能通过电极两端的电压调控探测器的性能，利用VO2绝缘‑金属可逆相变特性，增加调控探测器的光电特性的手段，提高探测器的抗干扰性能，从而可以提高日盲紫外探测器性能的稳定性，进而提高该器件的探测性能。

主权项：1.一种自供能日盲紫外探测器，其特征在于，包括：衬底；设置在所述衬底表面的VO2薄膜，所述VO2薄膜退火处理；设置在所述VO2薄膜表面的a-Ga2O3薄膜；设置在所述a-Ga2O3薄膜表面的梳状电极；所述VO2薄膜的厚度为100～300nm；所述VO2薄膜的退火温度为300～400℃；所述a-Ga2O3薄膜的厚度为100～300nm；所述梳状电极选自Au电极；两个指间距≤1μm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 一种日盲紫外探测器及其制备方法

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