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【发明授权】一种基于APD技术的UV频段5G大功率终端_成都中科微信息技术研究院有限公司_202111279473.6 

申请/专利权人:成都中科微信息技术研究院有限公司

申请日:2021-10-28

公开(公告)日:2024-04-26

公开(公告)号:CN114095328B

主分类号:H04L27/36

分类号:H04L27/36;H04B1/40;H04B1/401;H03F1/32;H03F3/195;H03F3/213;H03H11/24

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.26#授权;2022.03.15#实质审查的生效;2022.02.25#公开

摘要:本发明提供一种基于APD技术的UV频段5G大功率终端,包括5G模组、ARM控制器、FPGA通用控制器和射频FEM前端模块;5G模组的PCIE输出端口连接ARM控制器的PCIE输入端口;5G模组专用输出端口连接FPGA通用控制器的IO输入端口;ARM控制器的网口与FPGA通用控制器的网口连接;所述射频FEM前端模块包括RX射频通道、TX射频通道、FB射频通道和本振模块。本发明实现了非3GPP标准频段的模拟预失真,解决了非3GPP标准频段的5G终端缺失的问题,即实现了目前非3GPP标准频段的5G终端缺失零的突破。

主权项:1.一种基于APD技术的UV频段5G大功率终端,其特征在于,包括5G模组、ARM控制器、FPGA通用控制器和射频FEM前端模块;5G模组的PCIE输出端口连接ARM控制器的PCIE输入端口;5G模组专用输出端口连接FPGA通用控制器的IO输入端口;ARM控制器的网口与FPGA通用控制器的网口连接;所述5G模组用于通过5G模组专用输出端口向FPGA通用控制器给出10ms业务帧头以及TDD时序配比;所述射频FEM前端模块包括RX射频通道、TX射频通道、FB射频通道和本振模块;RX射频通道包括腔体滤波器、环形器、低噪声放大器、RX第一滤波器、RX上变频器、RX第二滤波器、RXDSA数控衰减器和TRXTDD射频开关;TX射频通道包括第一耦合器、第二耦合器、TXDSA数控衰减器、TX第一滤波器、TX下变频器、TX第二滤波器、驱动放大器、末级功率放大器和大功率耦合器;FB射频通道包括FBDSA数控衰减器、FB第一滤波器、FB上变频器、FB第二滤波器和APD芯片构成;本振模块包括本振频综、LOTDD射频开关和功分器;FPGA通用控制器的IO输出端口连接TRXTDD射频开关以及LOTDD射频开关的控制输入端口;天线的输出端口连接腔体滤波器的输入端口,腔体滤波器的输出端口连接环形器的ANT输入端口;环形器的RX输出端口连接低噪声放大器的输入端口;低噪声放大器的输出端口连接RX第一滤波器的输入端口;RX第一滤波器的输出端口连接RX上变频器的射频输入端口;RX上变频器的射频输出端口连接RX第二滤波器的输入端口;RX第二滤波器的输出端口连接RXDSA数控衰减器的输入端口;RXDSA数控衰减器的输出端口连接TRXTDD射频开关的RF1端口;TRXTDD射频开关的RF2输出端口连接第一耦合器的输入端口;第一耦合器的耦合输出端口连接APD芯片的射频参考输入端口;第一耦合器的输出端口连接第二耦合器的输入端口;第二耦合器的输出端口连接TXDSA数控衰减器的输入端口;TXDSA数控衰减器的输出端口连接TX第一滤波器输入端口;TX第一滤波器输出端口连接TX下变频器的射频输入端口;TX下变频器的射频输出端口连接TX第二滤波器输入端口;TX第二滤波器的输出端口连接驱动放大器的输入端口;驱动放大器的输出端口连接末级功率放大器的输入端口;末级功率放大器的输出端口连接大功率耦合器的输入端口;大功率耦合器的输出端口连接环形器的TX端口;大功率耦合器的耦合输出端口连接FBDSA数控衰减器的输入端口;FBDSA数控衰减器的输出端口连接FB第一滤波器输入端口;FB第一滤波器输出端口连接FB上变频器的射频输入端口;FB上变频器的射频输出端口连接FB第二滤波器输入端口;FB第二滤波器的输出端口连接APD芯片的FB输入端口;APD芯片的射频输出端口连接第二耦合器的射频馈入端口;本振频综的射频输出端口连接LOTDD射频开关的公共端口;LOTDD射频开关的RF1输出端口连接RX上变频器的LO输入端口;LOTDD射频开关的RF2输出端口连接功分器的公共端口;功分器的RF1输出端口连接TX下变频器的LO输入端口,功分器的RF2输出端口连接FB上变频器的LO输入端口。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 成都中科微信息技术研究院有限公司 一种基于APD技术的UV频段5G大功率终端

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