申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2023-09-12

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN220856585U

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423

优先权：["20221006 US 63/378,642","20230118 US 18/155,917"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权

摘要：一种多栅极装置包括多个栅极结构在一半导体基板上方，其中所述多个栅极结构包含一长通道栅极结构及一短通道栅极结构。该长通道栅极结构具有一第一深度的一深沟槽，且该短通道栅极结构具有小于该第一深度的一第二深度的一浅沟槽。

主权项：1.一种多栅极装置，其特征在于，包括：多个栅极结构，在一半导体基板上方，其中所述多个栅极结构包含一第一长通道栅极结构、一第二长通道栅极结构、一第一短通道栅极结构及一第二短通道栅极结构；一第一隔离结构，在该第一长通道栅极结构与该第二长通道栅极结构之间的一深沟槽中，其中该深沟槽具有一第一深度；以及一第二隔离结构，在该第一短通道栅极结构与该第二短通道栅极结构之间的一浅沟槽中，其中该浅沟槽具有一第二深度，且该第二深度小于该第一深度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 多栅极装置

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