申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2024-01-17

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117947408A

主分类号：C23C16/455

分类号：C23C16/455;C23C16/40

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明提供一种制备高KAl2O3层的方法，提供衬底，在衬底上形成下极板层，对下极板层的表面进行预清洁处理，以去除下极板层表面上的剥落颗粒以及增加表面粗糙度；将衬底设置于原子层沉积机台的反应腔室中，在反应腔室中通入TMA，使得TMA中的羰基与下极板层形成化学吸附作用；在反应腔室中依次通入水蒸气和TMA，使得在下极板层表面形成Al2O3层，重复该步骤使得形成的Al2O3层为目标厚度。本发明的下极板经过预清洁处理后，表面剥落颗粒和其他杂质被去除，且下极板层表面粗糙度略有增加，比表面积增大，吸附位点增多；利用TMA处理后，下极板表面物理吸附和化学吸附了更多的反应物质，缩短诱导期，从而提升ALD沉积速度。

主权项：1.一种制备高KAl2O3层的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成下极板层，对所述下极板层的表面进行预清洁处理，以去除所述下极板层表面上的剥落颗粒以及增加表面粗糙度；步骤二、将所述衬底设置于原子层沉积机台的反应腔室中，在所述反应腔室中通入TMA，使得所述TMA中的羰基与所述下极板层形成化学吸附作用；步骤三、在所述反应腔室中依次通入水蒸气和TMA，使得在所述下极板层表面形成Al2O3层；步骤四、重复步骤三中的上述步骤使得形成的所述Al2O3层为目标厚度。

全文数据：

权利要求：

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