申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2022-09-14

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117957642A

主分类号：H01L21/3065

分类号：H01L21/3065;H05H1/46

优先权：["20210915 JP 2021-150606"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明提供等离子体处理装置，其包括：第一电源，其构成为能够将第一电信号供给到天线，第一电信号包含具有第一RF频率的第一RF信号；第二电源，其构成为能够将第二电信号供给到至少一个电极，第二电信号包含具有第二RF频率的第二RF信号；第三电源，其构成为能够将第三电信号供给到至少一个电极，第三电信号包含具有比第一RF频率和第二RF频率低的第三RF频率的第三RF信号或DC信号；和控制部，其构成为能够控制第一电源、第二电源和第三电源，以选择性地执行第一等离子体处理模式、第二等离子体处理模式和第三等离子体处理模式。第一等离子体处理模式不将第三电信号供给到至少一个电极，而将第一电信号供给到天线并且将第二电信号供给到至少一个电极。第二等离子体处理模式不将第二电信号供给到至少一个电极，而将第一电信号供给到天线并且将第三电信号供给到至少一个电极。第三等离子体处理模式不将第一电信号供给到天线，而将第二电信号和第三电信号供给到至少一个电极。

主权项：1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理腔室；基片支承部，其配置在所述等离子体处理腔室内，包含至少一个电极；配置在所述等离子体处理腔室的上方的天线；第一电源，其构成为能够将第一电信号供给到所述天线，所述第一电信号包含具有第一RF频率的第一RF信号；第二电源，其构成为能够将第二电信号供给到所述至少一个电极，所述第二电信号包含具有第二RF频率的第二RF信号；第三电源，其构成为能够将第三电信号供给到所述至少一个电极，所述第三电信号包含具有比所述第一RF频率和第二RF频率低的第三RF频率的第三RF信号或DC信号；和控制部，其构成为能够控制所述第一电源、所述第二电源和所述第三电源，以选择性地执行第一等离子体处理模式、第二等离子体处理模式和第三等离子体处理模式，所述第一等离子体处理模式不将所述第三电信号供给到所述至少一个电极，而将所述第一电信号供给到所述天线并且将所述第二电信号供给到所述至少一个电极，所述第二等离子体处理模式不将所述第二电信号供给到所述至少一个电极，而将所述第一电信号供给到所述天线并且将所述第三电信号供给到所述至少一个电极，所述第三等离子体处理模式不将所述第一电信号供给到所述天线，而将所述第二电信号和所述第三电信号供给到所述至少一个电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置

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