申请/专利权人：富士电机株式会社

申请日：2023-03-02

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117957774A

主分类号：H03K17/082

分类号：H03K17/082;H03K17/00;H03K17/08;H03K17/16;H02M1/00;H02M1/08

优先权：["20220406 JP 2022-063257"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明提供抑制在从电流监测用功率半导体元件输出的感测电流的检测信号中产生的振荡的半导体装置和过电流保护装置。主IGBT1a和感测IGBT1b的集电极经由端子C与电源电压连接。主IGBT1a的发射极经由端子E与负载2连接。感测IGBT1b的感测发射极与端子SE连接。主IGBT1a的栅极与电容C0的一端和端子G连接，电容C0的另一端与感测IGBT1b的栅极连接。感测IGBT1b在有基于驱动信号s0的主IGBT1a的导通指示的情况下，从集电极朝向感测发射极流通与在主IGBT1a流通的电流成比例的感测电流。

主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，具有：输出元件，其基于驱动信号进行开关而使负载工作；电流监测元件，其对在所述输出元件流通的电流进行监测；以及电容，其一端与所述输出元件的栅极连接，并且另一端与所述电流监测元件的栅极连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 富士电机株式会社 半导体装置和过电流保护装置

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