申请/专利权人：恩特格里斯公司

申请日：2022-09-09

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117957235A

主分类号：C07F7/22

分类号：C07F7/22;C23C16/40;C23C16/455

优先权：["20210914 US 63/243,885"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明提供某些氟化烷基锡化合物，可认为其可用于将含锡膜气相沉积到微电子装置衬底表面上。本发明还提供制备所述前体化合物的方法及使用这些化合物将含锡膜沉积到微电子装置衬底上的方法。

主权项：1.一种式I化合物， 其中Y为下式的基团 其中R独立地选自H、C1-C8烷基、C2-C8烯基、C2-C8炔基、芳基、C1-C8全氟化烷基、C1-C8部分氟化烷基，且R1选自H、C1-C8烷氧基、C1-C8烷基、C2-C8烯基、C2-C8炔基、芳基、C1-C8全氟烷氧基、C1-C8全氟烷基及C1-C8部分氟化烷基，且m为0到4，且n为0到3。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 恩特格里斯公司 氟烷基锡前体的合成

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