申请/专利权人：弘元新材料(徐州)有限公司

申请日：2023-11-16

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954524A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0288;H01L31/0224

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.30#公开

摘要：本发明公开了一种n‑TOPCon电池去绕镀实现方法，包括以下步骤：S1：制绒处理；S2：硼扩散；S3：刻蚀；S4：LPCVD；S5：离子注入；S6：RCA清洗；S7：退火；S8：背面镀SiNx；S9：BOE清洗进行绕镀的去除；S10：正面镀Al2O3；S11：正面镀SiNx；S12：印刷烧结。本发明所述的一种n‑TOPCon电池去绕镀实现方法，本方法经过处理后的n‑TOPCon电池在短波与长波波段均有较为明显的提升，在同等条件下，其发电量优于n‑TOPCon电池，本方法中电池背面采用物理气相沉积的方式完成金属化，无损伤，不会烧穿多晶硅层，使用HNO3：HF的腐蚀溶液体系在清洗去除Poly‑Si绕镀的同时，也会对p+发射极造成腐蚀，控制刻蚀的深度的同时可以有效去除扩散耗尽区，改善正面的接触特性。

主权项：1.一种n-TOPCon电池去绕镀实现方法，其特征在于：包括以下操作步骤：S1：制绒处理：对硅片进行切割后对其进行制绒，使用NaOH溶液，将硅片表面均匀的腐蚀掉一层，其中通过NaOH溶液的浓度为1.50moll，腐蚀速率为0.3μAcm2，以此去除硅片表面的损伤层，同时在表面形成均匀的金字塔绒面并产生陷光结构；S2：硼扩散：将硅片放置在扩散炉内，将温度升至840-860℃后，通入氮气、硼源和氧气进行扩散沉积，持续时间十分钟；S3：刻蚀：通过刻蚀去除硼扩散过程中进入硅片背面和侧面的硼原子，使用稀释的HF溶液对硅片进行刻蚀处理；S4：LPCVD：使用LPCVD设备一次工艺过程完成隧穿氧化层的生长和本征Poly-Si的沉积；S5：离子注入：在硅片背面本征Poly-Si层中注入磷形成n+，使注入的杂质原子电离成带电离子后，再用强电场加速这些带电离子，再将其注入到本征Poly-Si中完成掺杂；S6：RCA清洗：使用RCA方法去除硅片部分表面的损伤；S7：退火：将清洗后的硅片放置到高温炉管内，进行退火处理，其起始温度和峰值温度间，温度规律提升，其逐级爬坡的温度节点依次为：740℃、760℃.800℃.8120℃.840℃；S8：背面镀SiNx：在退火处理后硅片的正面与背面制备减反射钝化膜层，既能增加背表面对光的吸收，以此形成SiNx薄膜；S9：BOE清洗进行绕镀的去除：使用BOE清洗工艺将硅片正面绕镀的Poly-Si清洗去除，同时在BOE清洗工艺中利用HNO3在正面形成SiO2氧化层，准备酸槽为槽体，准备HF：H2O作为溶液，进行电池进行清洗处理，以此去除SiNx的正面绕镀，准备反刻槽为槽体，准备HNO3：HF作为溶液，以此去除Poly-Si的正面绕镀，准备碱洗槽为槽体，准备KOH：H2O作为溶液，以此去除多孔硅，准备混酸槽为槽体，准备HF：HCL：H2O作为溶液，以此去除钾离子和氧化层，准备酸槽为槽体，准备HNO3作为溶液，以此湿氧氧化处理，清洗完毕后将硅片进行烘干处理；S10：正面镀Al2O3：在硅片正面沉积一层Al2O3膜层，以此与其他膜层共同形成正面钝化作用；S11：正面镀SiNx：将硅片的背面镀一层SiNx膜层，以此形成电池表面减反射层；S12：印刷烧结：采用丝网印刷的方式把金属导电浆料按照设计好的版型，印刷在已完成制结与叠层钝化膜层制备的硅片上，然后经过高温烧结，使得浆料与硅片形成良好的欧姆接触，从而形成电池电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 弘元新材料(徐州)有限公司 一种n-TOPCon电池去绕镀实现方法

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