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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2023-10-26
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117954447A
主分类号：H01L27/092
分类号：H01L27/092;H01L21/8238;B82Y10/00
优先权：["20221028 US 63/420,392","20230109 US 18/151,761"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：本公开涉及纳米结构FET半导体器件及其形成方法。实施例包括纳米结构器件和形成纳米结构器件的方法，包括处理工艺以膨胀侧壁间隔件材料，以便封闭沉积之后的侧壁间隔件材料中的接缝。该处理工艺包括氧等离子体处理，以膨胀侧壁间隔件材料并交联开放的接缝以形成封闭接缝，降低了k值，并减小了密度。
主权项：1.一种半导体器件，包括：第一纳米结构；第二纳米结构，在所述第一纳米结构之上；源极漏极区域，邻近所述第一纳米结构；栅极结构，围绕所述第一纳米结构和所述第二纳米结构；以及第一内部间隔件，介于所述第一纳米结构和所述第二纳米结构之间，所述第一内部间隔件介于所述栅极结构和所述源极漏极区域之间，所述第一内部间隔件在所述第一内部间隔件的第一侧具有高氧化，氧化的强度按照抛物线梯度曲线减小，直到到达所述第一内部间隔件的第二侧，所述第一内部间隔件的第一侧与所述源极漏极区域接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 纳米结构FET半导体器件及其形成方法
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