申请/专利权人：万国半导体国际有限合伙公司

申请日：2023-10-19

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117929828A

主分类号：G01R19/00

分类号：G01R19/00;H02P29/00;H02P6/00;G01R15/14

优先权：["20221026 US 18/049,969"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：该设备和相关方法涉及用于模拟负载电流的精确部分的源极端复制补偿电路。在说明性示例中，源极端复制补偿电路STRCC可以连接到电动机驱动电路。例如，STRCC可以包括被配置为具有电动机驱动电路中的主晶体管的模拟结构的模拟晶体管。STRCC可以包括例如干扰抑制模块DRM。DRM可以连接到传感晶体管的源极端子和主晶体管的源极端。当DRM连接到电流传感电阻器时，产生传感电流作为电动机驱动电路的负载电流的预定部分，其中所述预定部分小于1％。各种实施例可以有利地减少电流传感器电阻器处的散热。

主权项：1.一种电流传感电路，其特征在于，包括：一个传感晶体管，所述传感晶体管为具有负载驱动电路中的主晶体管的模拟结构；并且一个干扰抑制模块DRM，连接到所述传感晶体管和所述主晶体管上，其中所述DRM被配置为使得所述传感晶体管的源极端子处的电压跟踪所述主晶体管的源极端处的电压，并且其中：DRM包括反馈电路和缓冲电路，其被配置为使得电流传感电路的输出电压和传感晶体管的源极端子处的电压解耦，以及当所述电流传感电路连接到一个电流传感电阻器时，产生一个传感电流作为所述负载驱动电路的负载电流的预定分数，其中所述预定分数小于1％，并且，电流传感电阻器具有小于1000欧姆的额定值，使得电流传感电阻器处的散热减少以提高电流传感电路的功率效率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 万国半导体国际有限合伙公司 电机控制传感FET

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