申请/专利权人：华中科技大学

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117956889A

主分类号：H10N70/00

分类号：H10N70/00;H10N70/20;H10B63/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明提供了HfN‑Ge‑Sb‑Te相变材料及低功耗相变存储器，属于微纳电子领域，其通式为HfNxGe‑Sb‑Te1‑x，x为HfN的分子数占总分子数的百分比，其中Ge‑Sb‑Te系合金与HfN的晶格失配度大于20％，以抑制Ge‑Sb‑Te相变存储材料的晶化程度。本发明将HfN掺杂到Ge‑Sb‑Te系合金内，并保证HfN与Ge‑Sb‑Te系合金的晶格失配度大于20％，从而能够使HfN‑Ge‑Sb‑Te相变材料形成更稳定的非晶结构，显著抑制其晶化程度，缩小其晶化区域，进而提高Ge‑Sb‑Te系相变材料的非晶稳定性，大大降低Ge‑Sb‑Te系相变存储器件的RESET功耗。

主权项：1.一种HfN-Ge-Sb-Te相变材料，其特征在于，该HfN-Ge-Sb-Te相变材料的通式为HfNxGe-Sb-Te1-x，x为HfN的分子数占总分子数的百分比，其中HfN与晶态Ge-Sb-Te系合金的晶格失配度大于20％，以抑制Ge-Sb-Te相变材料的晶化程度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华中科技大学 HfN-Ge-Sb-Te相变材料及低功耗相变存储器

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