申请/专利权人：清华大学

申请日：2024-01-23

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117949431A

主分类号：G01N21/65

分类号：G01N21/65;G06F18/15;G06F18/213

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本申请涉及一种基于拉曼测量HEMT缺陷浓度及位置表征的方法、装置，方法包括：对待测高电子迁移率晶体管HEMT器件进行拉曼光谱检测，施加电应力至HEMT器件的当前测量位置，并在预设时间间隔后获得当前测量位置在施加电应力后的拉曼光谱特征峰值，且基于拉曼光谱特征峰值确定当前测量位置的拉曼光谱特征峰偏移量；改变待测HEMT器件的测量位置，得到待测HEMT器件的多个位置的拉曼光谱特征峰偏移量；根据多个位置的拉曼光谱特征峰偏移量与电应力计算多个位置的电场强度，基于多个位置的电场强度得到待测HEMT器件的缺陷浓度和缺陷分布。由此，解决了现有的缺陷测量方法尚不能实现HEMT器件缺陷分布和浓度的高空间分辨率测量的问题。

主权项：1.一种基于拉曼测量HEMT缺陷浓度及位置表征的方法，其特征在于，包括以下步骤：对待测高电子迁移率晶体管HEMT器件进行拉曼光谱检测，施加电应力至HEMT器件的当前测量位置，并在预设时间间隔后获得所述当前测量位置在施加电应力后的拉曼光谱特征峰值，且基于所述拉曼光谱特征峰值确定所述当前测量位置的拉曼光谱特征峰偏移量；改变所述待测HEMT器件的测量位置，得到所述待测HEMT器件的多个位置的拉曼光谱特征峰偏移量；根据所述多个位置的拉曼光谱特征峰偏移量与所述电应力计算所述多个位置的电场强度，并基于所述多个位置的电场强度得到所述待测HEMT器件的缺陷浓度和缺陷分布。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华大学 基于拉曼测量HEMT缺陷浓度及位置表征的方法、装置

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