申请/专利权人：重庆大学

申请日：2024-01-30

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954530A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0232;H01L31/09;C01B32/186

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明公开了一种宽光谱红外光电探测器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该方法包括：1选取N型硅衬底；2在200℃～250℃，利用超高真空化学汽相淀积工艺，在N型硅衬底上形成氮化硅缓冲层；3在100℃～200℃，利用微波等离子化学汽相淀积工艺，在氮化硅缓冲层上形成石墨烯阵列结构，形成吸收层；4在200℃～250℃，利用超高真空化学汽相淀积工艺，在氮化硅石墨烯结构上形成碳颗粒填充层；5在200℃～250℃，利用超高真空化学汽相淀积工艺，在N型硅衬底上形成氮化硅绝缘层；6金属化并光刻引线形成红外光电探测器。本发明能够克服目前传统材料受带隙限制和吸收范围有限的问题，通过调节石墨烯的厚度来调节吸收范围和探测能力。

主权项：1.一种宽光谱红外光电探测器制备方法，其特征在于，该探测器为探测范围可调的石墨烯红外光电探测器，包括碳点石墨烯结构，该制备方法具体包括以下步骤：S1、选取N型硅衬底；S2、在200℃～250℃，利用超高真空化学汽相淀积工艺，在所述N型硅衬底上形成氮化硅缓冲层；S3、在100℃～200℃，利用微波等离子化学汽相淀积工艺，在所述氮化硅缓冲层上形成石墨烯阵列结构，形成吸收层；S4、在200℃～250℃，利用超高真空化学汽相淀积工艺，在氮化硅石墨烯结构上形成碳颗粒填充层；S5、在200℃～250℃，利用超高真空化学汽相淀积工艺，在所述N型硅衬底上形成氮化硅绝缘层；S6、金属化并光刻引线形成红外光电探测器。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 重庆大学 一种宽光谱红外光电探测器及其制备方法

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