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【发明授权】高栅极击穿电压的场效应晶体管_先之科半导体科技(东莞)有限公司_202311038731.0 

申请/专利权人:先之科半导体科技(东莞)有限公司

申请日:2023-08-17

公开(公告)日:2024-04-30

公开(公告)号:CN117199021B

主分类号:H01L23/367

分类号:H01L23/367;H01L23/373;H01L29/78

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.30#授权;2023.12.26#实质审查的生效;2023.12.08#公开

摘要:本发明公开了高栅极击穿电压的场效应晶体管,包括场效应管本体,所述场效应管本体的底端固定连接有三组引脚,所述场效应管本体内部的两侧分别设置有一组滑槽,所述场效应管本体的底端固定连接有防滑垫,所述防滑垫与引脚活动连接。该高栅极击穿电压的场效应晶体管通过设置有安装框,该场效应管安装后运行时,场效应管本体内部的元件工作时,贴合在场效应管本体内部的导热硅脂层可以快速的吸收场效应管本体内部的热,并可以将热传递给导热板,导热板再通过其一端安装的散热片快速将热导出,从而降低场效应管本体运行时的温度,且安装框内部的网格板可以防止灰尘进入安装框的内部,解决的是不能有效散热的问题。

主权项:1.高栅极击穿电压的场效应晶体管,包括场效应管本体1,其特征在于:所述场效应管本体1的底端固定连接有三组引脚10,所述场效应管本体1内部的两侧分别设置有一组滑槽15,所述场效应管本体1的底端固定连接有防滑垫14,所述防滑垫14与引脚10活动连接;所述场效应管本体1的一端固定连接有安装框2,所述安装框2内部的一端活动连接有导热硅脂层17,所述安装框2的内部活动连接有导热板3;所述安装框2内部的另一端固定连接有网格板16,所述导热板3一端的散热片4呈等间距排布,所述安装框2的中心线与网格板16的中心线在同一垂直面上,所述滑槽15的内部活动连接有支撑板5,所述支撑板5的底端固定连接有底板6,所述底板6的底端开设有底槽7,所述底槽7内部的顶端固定连接有定位吸盘8;所述场效应管本体1的底端活动连接有防护罩9,所述防护罩9的内部固定连接有隔板11,所述防护罩9内部的两端固定连接有橡胶片13,所述橡胶片13与引脚10活动连接,所述防护罩9与防滑垫14活动连接,所述橡胶片13与隔板11固定连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 先之科半导体科技(东莞)有限公司 高栅极击穿电压的场效应晶体管

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