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【发明授权】一种利用ALD技术制备复合碳负极的方法和复合碳负极_柔电(武汉)科技有限公司;宁波柔创纳米科技有限公司_202311376223.3 

申请/专利权人:柔电(武汉)科技有限公司;宁波柔创纳米科技有限公司

申请日:2023-10-23

公开(公告)日:2024-04-30

公开(公告)号:CN117457865B

主分类号:H01M4/36

分类号:H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587;H01M4/62;H01M4/133;H01M4/134;H01M4/1393;H01M4/1395;H01M4/04;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00;C23C16/40;C23C16/20;C23C16/12;C23C16/56;C23C16/04;C23C16/455;C23C16/08;C23C16/18

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.30#授权;2024.02.13#实质审查的生效;2024.01.26#公开

摘要:本发明涉及锂离子电池负极材料的制备方法技术领域,尤其涉及一种利用ALD技术制备复合碳负极的方法和复合碳负极。包括多孔碳基体和位于多孔碳基体孔道内部的复合纳米包覆层,所述复合纳米包覆层是由纳米硅层及金属氧化物层交替组成,纳米硅层和金属氧化物层是二氧化硅层与金属层通过金属热还原反应转化获得,所述二氧化硅层和金属层均为利用ALD原子沉积法在多孔碳基体孔道内部交替沉积所得的薄膜。能够实现硅和碳的化学接触,有效提高硅碳负极材料的循环寿命和克容量发挥,并避免了传统CVD技术固有的危险。

主权项:1.一种复合碳负极,其特征在于,所述复合碳负极包括多孔碳基体和位于多孔碳基体孔道内部的复合纳米包覆层,所述复合纳米包覆层包括纳米硅及金属氧化物,纳米硅及金属氧化物是二氧化硅层与金属层通过金属热还原反应转化获得,所述二氧化硅层和金属层均为利用ALD原子沉积法在多孔碳基体孔道内部交替沉积所得的薄膜,所述多孔碳基体的平均介孔孔径为50nm,连接孔孔径为10nm,多孔碳基体的孔径分布于30~100纳米,所述多孔碳基体的内壁沉积复合纳米包覆层后,还保留孔结构,孔结构的体积为多孔碳基体介孔的至少23的空间。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 柔电(武汉)科技有限公司;宁波柔创纳米科技有限公司 一种利用ALD技术制备复合碳负极的方法和复合碳负极

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