申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-07-31

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN112041986B

主分类号：H10B43/10

分类号：H10B43/10;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2020.12.22#实质审查的生效;2020.12.04#公开

摘要：公开了3D存储器件的实施例及其形成方法。在一个示例中，公开了用于形成3D存储器件的方法。在第一衬底上形成外围电路。在第二衬底上形成第一半导体层。在第一半导体层上形成支撑结构和与支撑结构共面的第二半导体层。在支撑结构和第二半导体层上方形成存储堆叠层。存储堆叠层具有与支撑结构重叠的阶梯区域。形成垂直地延伸穿过存储堆叠层和第二半导体层进入第一半导体层中的沟道结构。以面对面的方式键合第一衬底和第二衬底。

主权项：1.一种形成三维3D存储器件的方法，包括：在衬底上依次形成第一半导体层、第一阻挡层、和牺牲层；形成垂直地延伸穿过所述牺牲层和所述第一阻挡层的阻挡插塞，以将所述牺牲层划分成支撑部分和牺牲部分；在所述牺牲层上方形成电介质堆叠层，并且所述电介质堆叠层具有阶梯区域，使得所述牺牲层的所述支撑部分在所述电介质堆叠层的所述阶梯区域下方并与所述电介质堆叠层的所述阶梯区域重叠；形成沟道结构，所述沟道结构垂直地延伸穿过所述电介质堆叠层、所述牺牲层的所述牺牲部分、和所述第一阻挡层进入所述第一半导体层中；形成垂直地延伸穿过所述电介质堆叠层的开口，以暴露所述牺牲层的所述牺牲部分的一部分；以及通过所述开口，用与所述牺牲层的所述支撑部分共面的第二半导体层替换所述牺牲层的所述牺牲部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 用于形成具有用于阶梯区域的支持结构的三维存储器件的方法

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