申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2022-01-19

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN115305451B

主分类号：C23C14/34

分类号：C23C14/34;C23C14/54;C23C14/56

优先权：["20210723 US 17/384,310"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2022.11.25#实质审查的生效;2022.11.08#公开

摘要：提供一种能够通过移除沉积在准直器的表面上的靶材料来清洁自身的沉积系统。根据本公开的沉积系统包括衬底处理室。所述沉积系统包括：衬底基座，位于衬底处理室中，所述衬底基座被配置成对衬底进行支撑；靶，包围衬底处理室；以及准直器，具有设置在靶与衬底之间的多个中空结构、振动产生单元、及清洁气体出口。

主权项：1.一种沉积系统，包括：衬底处理室；衬底基座，位于所述衬底处理室中，所述衬底基座被配置成对衬底进行支撑；靶，包围所述衬底处理室；准直器，具有设置在所述靶与所述衬底之间的多个中空结构；以及多个清洁气体出口，位于所述准直器内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 沉积系统及衬底处理室中将材料从靶沉积到衬底上的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD