申请/专利权人：英特尔公司

申请日：2017-09-04

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN109791915B

主分类号：H01L23/00

分类号：H01L23/00;H01L23/58

优先权：["20161001 US 15/283,327"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2019.11.01#实质审查的生效;2019.05.21#公开

摘要：公开了一种保护环技术。在一个范例中，一种电子部件保护环能够包含阻挡物，所述阻挡物具有首尾相连地取向的第一阻挡物部分和第二阻挡物部分，以阻挡电子部件中的离子扩散和裂缝传播。所述保护环还能够包含开口，所述开口在所述阻挡物中且在所述第一阻挡物部分与所述第二阻挡物部分之间，并且在所述阻挡物的第一侧与第二侧之间延伸。还公开了相关联的系统和方法。

主权项：1.一种电子部件保护环，包括：第一阻挡物，具有首尾相连地取向的第一阻挡物部分和第二阻挡物部分，以阻挡电子部件中的离子扩散和裂缝传播；以及所述第一阻挡物中的开口，在所述第一阻挡物部分与所述第二阻挡物部分之间，并且在所述第一阻挡物的内侧与外侧之间延伸，其中，所述开口包括在所述第一阻挡物的所述内侧上的导电材料与所述外侧上的导电材料之间延伸的半导体材料的桥。

全文数据：电子部件保护环技术领域于此描述的实施例总体涉及电子部件的保护，并且更具体涉及形成于半导体材料中的电子部件周围的保护环。背景技术半导体芯片的周界暴露于物理器件损伤、不期望的湿气、以及离子污染物。因而，“保护环”也称为“密封环”，典型地由金属带形成，作为IC管芯的制造的在经由激光切片、锯割、或这些的组合进行管芯单片化切片之前的部分，通常位于每一个芯片的周界周围。这些保护环能够提供结构加强并阻止不期望的裂缝、湿气和移动离子污染物进入芯片的有源电路系统区并影响操作可靠性。附图说明根据结合附图并作为范例一起示例各个发明实施例的以下具体实施方式，发明实施例特征和优点将是明显的，并且其中：图1示例根据范例的电子部件的示意性表示；图2示例图1的电子部件的保护环的详细视图；图3示例根据范例的电子部件的保护环的详细视图；图4示例根据范例的电子部件的保护环的详细视图；图5示例根据范例的电子部件的保护环的详细视图；图6示例根据范例的电子部件的示意性表示；图7示例用于制作图6的电子部件的保护环的沟槽的侧横截面视图；图8示例根据范例的用于制作电子部件的保护环的沟槽的详细视图；图9示例根据范例的用于制作电子部件的保护环的沟槽的侧视图；图10是根据范例的电子器件的侧视图的示意性示例；以及图11是示范性计算系统的示意性示例。现在将参照示例的示范性实施例，并且于此将使用特定语言来描述这些示范性实施例。然而，将理解，不意图由此限制范围或特定发明实施例。具体实施方式在公开并描述发明实施例之前，将理解，其不意图限制于此公开的具体结构、工艺步骤、或材料，而是发明实施例也包含如本领域技术人员将认识到的其等同物。也将理解，于此采用的术语学仅用于描述具体范例，而不意图进行限制。不同图样中的相同参考数字表示相同的元件。为清楚示例步骤和操作而提供了在流程图和工艺中提供的数字，并且这些数字不必然指示具体顺序或序列。除非另外限定，于此使用的所有技术和科学术语具有与本公开所属的技术领域的技术人员通常理解的意思相同的意思。如此书面描述中使用的，单数形式的“一”、“一个”和“该”包含对于复数对象的表述支持，除非上下文清楚地另外指示。从而，例如，对“一层”的引用包括多个该层。在此公开中，“包括”、“含有”和“具有”等能够具有美国专利法所授予它们的意思，并且能够意指“包含”等，并且通常被解释为开放的openended术语。术语“由…构成”是封闭的术语，并且仅包含结合该术语具体列出的以及符合美国专利法的部件、结构、步骤等。“本质上由…构成”具有通常由美国专利法赋予它们的意思。特别是，该术语通常是封闭的术语，除容许包含实质上不影响与其结合使用的项单个或多个的基本和新颖特性或功能的附加项、材料、部件、步骤、或元件之外。例如，如果在语言“本质上由…构成”下存在构成中存在的但不影响组合物的性质或特性的痕量元素时，即使该痕量元素未明确记载于该术语之后的项的列表中，该痕量元素也是容许的。当在书面描述中使用如“包括”或“包含”的开放术语时，将理解，直接的支持也将给予语言“本质上由…构成”以及语言“由…构成”，就如同清楚阐明的一样，并且反之亦然。说明书以及权利要求书中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等如果存在的话用于在类似的元件之间进行区分，而不必然用于描述具体的序列或时间顺序。将理解，如此使用的术语在合适的环境下是能够互换的，使得于此描述的实施例例如能够以与于此示例或另外地描述的那些序列不同的序列操作。类似地，如果于此将方法描述为包括一序列步骤，则于此呈现的该步骤的顺序不必然是可以执行该步骤的仅有顺序，并且省略某些阐述的步骤是可能的和或给该方法增加于此未描述的某些其它步骤是可能的。说明书以及权利要求书中的术语“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“在…之上”、“在…之下”等如果存在的话用于描述性目的，且不必然用于描述永久的相对位置。将理解，如此使用的术语在合适的环境下是能够互换的，使得于此描述的实施例例如能够以与于此示例或另外地描述的那些取向不同的取向操作。如于此使用的术语“耦合”被定义为以电气或非电气方式直接或间接连接。于此被描述为彼此“相邻”的对象可以彼此物理接触、彼此紧邻、或处于彼此相同的总体区或区域，如对于短语所使用的上下文合适的。如于此使用的，诸如“增高”、“降低”、“更好”、“更坏”、“更高”、“更低”、“增强”、“最大化”、和“最小化”等比较术语指器件、部件、或活动的属性，其可测量地不同于其它相当器件、部件、或活动，或不同于本领域已知状态的相同器件、属性的不同迭代或实施例。例如，具有“增高的”崩溃风险的数据区能够指存储器器件的区，该区中比相同存储器器件中的其它区更可能具有写错误。多个因素能够引起该增高的风险，包含位置、制造工艺、施加于该区的程序脉冲的数量等。如于此使用的，术语“基本”指动作、特性、属性、状态、结构、项、或结果的完全或几乎完全的范围或程度。例如，“基本”被包围的对象将意指对象被完全包围或几乎被完全包围。与绝对完全偏离的确切可容许程度在一些情况下可以取决于特定上下文。然而，一般而言，完全的接近度将是使得具有相同的总体结果，如同获得了绝对和总的完全。在用于负面含义以指完全或几乎完全缺乏动作、特性、属性、状态、结构、项、或结果时，“基本”的使用等同地适用。例如，“基本没有”颗粒的组合物将完全缺乏颗粒，或如此接近完全缺乏颗粒，使得效果相同，好像其完全缺乏颗粒。换句话说，“基本没有”成分或元件的组合物实际上仍然可以含有该项，只要其不存在可测量的影响就行。如于此使用的，通过规定给定值可以“稍微大于”或“稍微小于”端点，术语“大约”用于提供数字范围端点的灵活性。如于此使用的，为方便，多个项、结构元件、组成元素、和或材料可以存在于公共列表中。然而，这些列表应当被视为如同列表的每一个构件被独立地标识为单独和独特的构件。从而，在无相反指示的情况下，仅基于该列表的独立构件以及任何其它构件在公共组中的表示，不应将该列表的独立构件视为相同列表的任何其它构件的事实上的等同。于此可以以范围格式表述或表示浓度、数量、尺寸、以及其它数字数据。将理解，仅为方便和简洁使用该范围格式，并且从而应将该范围格式灵活地解释为不仅包含如范围的界限清楚地记载的数字值，而且也包含涵盖在该范围内的所有独立数字值或子范围，如同每一个数字值和子范围被清楚地记载一样。作为示例，“大约1至大约5”的数字范围应当被解释为不仅包含清楚地记载的大约1至大约5的值，而且也包含该指示的范围内的独立值和子范围。从而，包含在此数字范围中的是诸如2、3、和4的独立值以及诸如从1至3、从2至4、以及从3至5的子范围等以及独立地1、2、3、4、和5。此相同的原理适用于将仅一个数字值记载为最小值或最大值的范围。此外，该解释应当适用，而不管描述的范围或特性的宽度。遍及此说明书对“范例”的提及意指结合范例描述的具体特征、结构、或特性包含在至少一个实施例中。从而，在遍及此说明书的各个地方中出现的短语“在范例中”不必然全指相同的实施例。短语“在一个实施例中”或“在一方面中”的出现于此不必然全指相同的实施例或方面。此外，描述的特征、结构或特性可以以任何适合的方式组合于一个或多个实施例中。在此描述中，提供了许多具体细节，诸如版图、距离、网络范例等的范例。然而，本领域技术人员将认识到，许多变形是可能的，而不需要一个或多个特定细节，或具有它方法、部件、版图、测量等。在其它实例中，未详细示出或描述公知结构、材料、或操作，但是它们应被视为在本公开的范围内。范例实施例以下提供了技术实施例的初始概述，并且然后更详细地描述了特定技术实施例。此初始概括意图辅助读者更迅速地理解技术，而不是意图标识技术的关键或本质特征，也不是意图限制所声称的主题的范围。一些电子部件例如，NAND闪存器件包含在用于保护环的构造的沟槽的形成期间能够累积电气电荷和电弧的材料和结构例如，导电材料的层。该电弧放电对于电子部件能够是有害的。因而，公开了电子部件保护环，其中，保护环结构使得电气电荷和电弧放电的累积在构造期间最小化，同时仍然提供保护环的期望功能。在一方面，电气电荷通过材料的连接桥耗散，以最小化电弧放电可能性。在一个范例中，电子部件保护环能够包含阻挡物，该阻挡物具有第一阻挡物部分和第二阻挡物部分，第一阻挡物部分和第二阻挡物部分首尾相连endtoend取向，以阻挡电子部件中的离子扩散和裂缝传播。保护环也能够在阻挡物中在第一与第二阻挡物部分之间包含在阻挡物的第一侧与第二侧之间延伸的开口。也公开了相关联的系统和方法。参照图1，示例了示范性电子部件100。通常，电子部件100能够包含半导体材料102和保护环101。典型地，电子电路系统103将与半导体材料102相关联。在一些实施例中，半导体材料102能够被配置为衬底。能够并入保护环101用于各种目的，诸如给电子部件100提供机械益处和或提供污染阻挡物以保护电路系统103。例如，保护环101能够被配置为防止裂缝传播例如，来源于管芯锯割应力和或防止污染物进入电子部件100的电子电路103中例如，湿气、离子扩散等。继续参照图1，图2示例图1的电子部件100的部分104的详细视图。保护环101能够包含形成于半导体材料102中的阻挡物，其能够设置在电子部件100的周界周围或环绕电子部件100的周界，如示例的。在一方面，在图1中示出，保护环101能够包含多个阻挡物101a、101b。阻挡物101a、101b能够通过任何适合的距离120彼此间隔开，以形成多行阻挡物。阻挡物101a、101b能够由任何适合的材料制成，诸如钨、铝、铜、硅、钛、氮化钛、钌、钴、钽、氮化钽等。在一方面，阻挡物能够具有首尾相连取向的阻挡物部分。例如，阻挡物110a能够具有首尾相连取向的阻挡物部分111a、112a，阻挡物110b能够具有首尾相连取向的阻挡物部分111b、112b。保护环101也能够包含在阻挡物中且在阻挡物部分之间的开口。例如，阻挡物部分111a、112a能够通过间隙121a彼此分开，以在阻挡物部分111a、112a之间形成开口122a。例如，阻挡物部分111b、112b能够通过间隙121b彼此分开，以在阻挡物部分111b、112b之间形成开口122b。开口122a能够在阻挡物110a的外侧123a与内侧124a例如，相对的侧之间延伸，使得半导体材料102的部分在阻挡物110a的外与内侧123a、124a之间延伸。开口122b能够在阻挡物110b的外侧123b与内侧124b例如，相对的侧之间延伸，使得半导体材料102的部分在阻挡物110b的外与内侧123b、124b之间延伸。尽管在阻挡物110a、110b中存在开口122a、122b，但是保护环101仍然能够提供机械益处并用作污染阻挡物。例如，开口122a、122b能够相对于彼此错开或横向偏移，以防止裂缝传播并提供用于污染物通过阻挡物110a、110b的曲折或长的路径。阻挡物110a、110b能够包含在阻挡物中在相邻的阻挡物部分之间的具有开口的任何适合数量的阻挡物部分。例如，阻挡物110a、110b中的每一个能够包含在半导体材料102的周界周围设置的三个或更多阻挡物部分。阻挡物110a、110b中的每一个包含四个该阻挡物部分，如图1中示出的。图3示例了根据本公开的范例的电子部件保护环201的部分的详细视图。如对于以上描述的保护环101，保护环201包含彼此间隔的多个阻挡物210a、210b。阻挡物210a包含首尾相连取向并且由间隙分开以在阻挡物210a中形成开口222a的阻挡物部分211a、211b。在此情况下，阻挡物210b是连续的并且没有开口。换句话说，阻挡物210b不包含独立的和区别的阻挡物部分，而是相反为一个完整连续的结构。在一方面，完整连续的阻挡物210b能够是在多个阻挡物布置或配置中的最内阻挡物或最外阻挡物。应当认识到，根据当前技术的保护环能够包含任何适合数量的阻挡物或阻挡物的行，诸如三个或更多阻挡物。多个阻挡物配置的两个范例示例于图4和图5中。图4示例根据本公开的另一范例的电子部件保护环301的部分的详细视图。在此情况下，保护环301包含四个阻挡物310a-d，每一个阻挡物具有多个阻挡物部分，该多个阻挡物部分首尾相连取向且由形成穿过阻挡物的开口的间隙分开。图5示例根据本公开的另一范例的电子部件保护环401的部分的详细视图。在此情况下，保护环401包含四个阻挡物410a-d，阻挡物中的三个410a-c具有首尾相连取向且由形成穿过阻挡物的开口的间隙分开的多个阻挡物部分。阻挡物410d是连续的且没有开口。在一方面，完整连续的阻挡物410b能够是多个阻挡物布置或配置中的最内阻挡物。在另一方面，多个阻挡物布置或配置能够包含仅单个不超过一个完整连续的阻挡物和任何适合数量的具有开口的阻挡物例如，三个或更多具有开口的阻挡物。将在半导体材料中的典型保护环的上下文中介绍如于此公开的保护环的制造，图6中示出了其顶视图。典型的保护环仅表示为单个连续的阻挡物。该阻挡物形成于半导体材料502中的沟槽530中，其示例于图7中的横截面中。在一些实施例中，半导体材料502包含半导体材料540和电介质材料541，半导体材料540和电介质材料541能够以交替的导电层和电介质层布置，诸如在NAND闪存部件例如，形成3DNAND器件中的字线的导电层中。导电层能够包含任何适合的导电材料，诸如多晶硅，其能够是导电掺杂的例如，为N+型导电性。电介质层能够包含任何适合的电介质材料，诸如氧化物例如，氧化硅、氮氧化物例如，氮氧化硅等。能够通过任何适合的工艺或技艺，诸如干法蚀刻工艺，来形成沟槽530。沟槽530能够有效地分开半导体材料502的两个部分例如，内部部分542和外部部分543，半导体材料502的外部部分543中的导电层540的部分能够由沟槽530的形成而变为隔离的例如，由电介质悬置。形成沟槽530的干法蚀刻工艺能够包含等离子体，其涉及能够给导电层540充电的电子。从而，形成沟槽530的工艺能够有效地形成电容器，该电容器在半导体材料502的内部和外部部分542、543的导电层540中具有有差别的电荷密度例如，每面积的电荷。利用深的长的干法蚀刻工艺来形成沟槽530能够使得在导电层540中累积更多的电荷。作为半导体材料的在内部和外部部分542和543中的不同部分的有差别的电荷密度的结果，创建了显著的电位差并且能够发生电弧放电。通过留下半导体材料502的内部和外部部分542、543之间的或连接该内部和外部部分542、543的半导体材料的“跳线jumper”或桥544，能够减弱导电层540中的该电荷累积，如图8中示例的。换句话说，沟槽530能够被桥544“打断broken”，桥544能够将半导体材料502的外部部分543中的导电层540的相对小的部分连接至半导体材料502的内部部分542中的导电层540的相对大的部分。半导体材料即导电层540的该局部化的连接或桥能够容许电荷扩展到较大的区域中，从而减小电容效应即，减少每面积的电荷以及跨沟槽530的电压，这因此能够减小电弧放电的可能性。桥544能够具有任何适合的大小，以方便将电子电荷从半导体材料的外部部分543耗散到内部部分542中。形成沟槽530以使得半导体材料502经由桥544连续即连续的导电层540导致阻挡物中的相继形成于沟槽中的开口或间隙。从而，桥544能够限定保护环的阻挡物中的开口或间隙。在一方面，用于最小化制作电子部件时的电弧放电的方法能够包含在半导体材料502中形成沟槽530的沟槽部分531，以及在半导体材料502中形成沟槽530的沟槽部分532。沟槽部分531和沟槽部分532能够首尾相连地取向并且由间隙即，桥544彼此分开，使得半导体材料502的部分在沟槽530的侧533与侧534例如，相对的侧之间延伸。在一些实施例中，沟槽能够包含由间隙或桥分开的至少三个沟槽部分。例如，沟槽能够包含四个或更多大约30mm的直线距离的中断即，桥，以确保足够的电荷耗散。最小化电弧放电的该措施的结果能够提供电子部件前体，该前体能够包含半导体材料502和沟槽530，沟槽530具有形成于半导体材料中的用于构造阻挡电子部件中的离子扩散和裂缝传播的阻挡物的沟槽部分531、532，。另外，用于制作电子部件保护环的方法能够包含在沟槽530中设置阻挡物材料，以形成沟槽部分531中的阻挡物部分和沟槽部分532中的阻挡物部分，以阻挡电子部件中的离子扩散和裂缝传播。间隙即，桥544能够在阻挡物中在阻挡物部分之间形成开口。能够通过任何适合的工艺或技艺，诸如沉积工艺，将阻挡物材料设置在沟槽中。虽然具有由桥544形成的间隙或开口的单个阻挡物配置可以有效地耗散导电层540中累积的电气电荷，但是该配置可能不足以提供保护环的期望功能，诸如防止裂缝传播和提供污染阻挡物。结果，能够利用多个阻挡物配置，诸如图1-图5中示例的那些。图9示例如图1-图3中的两阻挡物配置中的半导体材料602和沟槽630a、630b的横截面。用以创建多个阻挡物或阻挡物的行的沟槽的形成能够潜在地隔离导电层640的多个部分。例如，沟槽630a、630b能够将外部部分643、644彼此隔开并且与较大的内部半导体材料部分642隔开。从而，形成多个阻挡物的沟槽能够具有连接半导体材料部分的桥，该半导体材料部分否则将被隔离。结果是阻挡物中的开口例如，图2的阻挡物110a、110b中的开口122a、122b的形成。在一方面，一个或多个沟槽能够是连续的，没有桥中断沟槽即，没有间隙或桥中断沟槽。例如，被形成以创建图3的阻挡物210b的沟槽是连续的，没有中断。当累积的电荷能够由通过一个或多个其它沟槽的桥或连接诸如形成阻挡物210a中的开口222a的桥充分耗散时，能够利用该沟槽和阻挡物配置。相对于分割的或不连续的阻挡物，连续的阻挡物能够提供增强的保护性能。典型地，由桥互连的半导体材料部分的数量越大，则归因于互连半导体材料的增大的面积，耗散累积的电荷的能力就越大。从而，连续的未打断沟槽可以是将内部半导体材料部分与多个外部半导体材料部分分开或隔离的最内或最外沟槽。外部半导体材料部分能够经由一个或多个外部沟槽中的桥彼此连接，该一个或多个外部沟槽容纳外部半导体材料部分的组合区域中累积的电荷，如图3和图5中示出的。在一些实施例中，连续的未打断的沟槽可以位于将半导体材料部分彼此分开或隔离的多行沟槽中的任何地方例如，在中间区中，只要连接的半导体部分能够容纳分组的半导体材料部分的组合区域中累积的电荷就行。从而，一些实施例能够在多个半导体材料部分中的沟槽的行中包含多个连续的未打断的沟槽例如，最内沟槽、中间沟槽、和或最外沟槽的任何组合。图10是根据本公开的范例的电子器件705的示意性表示。电子器件能够包含器件衬底750和如于此公开的能够操作地耦合至器件衬底750的电子部件700。在一个实施例中，电子部件能够包括存储器部件，诸如固态计算机存储器部件例如，NAND闪存器件。在一方面，器件705能够包含任何适合的电子部件751，诸如CPU、GPU、存储器控制器、视频解码器、音频解码器、视频编码器、相机处理器、系统存储器、和或调制解调器。图11示例计算系统806的范例。计算系统806能够包含如于此公开的耦合至主板860的电子部件800。在一方面，计算系统806也能够包含处理器861、存储器器件862、无线电收发装置863、热沉864、端口865、缝隙slot、或任何其它适合的器件或部件，其能够能够操作地耦合至主板860。计算系统806能够包括任何类型的计算系统，诸如台式电脑、膝上型电脑、平板电脑、智能电话、可穿戴设备、服务器等。其它实施例不必包含图11中规定的所有特征，并且可以包含图11中未规定的替代特征。范例以下范例涉及另外的实施例。在一个范例中，提供了一种电子部件保护环，所述电子部件保护环包括：阻挡物，具有首尾相连地取向的第一阻挡物部分和第二阻挡物部分，以阻挡电子部件中的离子扩散和裂缝传播；以及所述阻挡物中的开口，在所述第一阻挡物部分与所述第二阻挡物部分之间，并且在所述阻挡物的第一侧与第二侧之间延伸。在电子部件保护环的一个范例中，所述第一阻挡物部分与所述第二阻挡物部分由形成所述开口的间隙彼此分开。在电子部件保护环的一个范例中，所述阻挡物包括至少三个阻挡物部分并且所述开口包括多个在所述阻挡物中且在相邻阻挡物部分之间的开口。在电子部件保护环的一个范例中，所述阻挡物包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个阻挡物。在电子部件保护环的一个范例中，所述多个阻挡物包括至少三个阻挡物。在一个范例中，电子部件保护环包括在所述第一侧或所述第二侧上的与所述第一阻挡物间隔开的第二阻挡物，其中，所述第二阻挡物是连续的并且没有开口。在电子部件保护环的一个范例中，所述第一阻挡物包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个阻挡物。在电子部件保护环的一个范例中，所述第二阻挡物是最内阻挡物。在电子部件保护环的一个范例中，所述阻挡物设置在所述电子部件的周界周围。在电子部件保护环的一个范例中，所述阻挡物包括钨。在一个范例中，提供了一种电子部件前体，所述电子部件前体包括：半导体材料，形成电子部件的部分；以及沟槽，具有形成于所述半导体材料中的第一沟槽部分和第二沟槽部分，用于构造阻挡所述电子部件中的离子扩散和裂缝传播的阻挡物，其中，所述第一沟槽部分和所述第二沟槽部分首尾相连地取向并且由间隙彼此分开，使得所述半导体材料的部分在所述沟槽的第一侧与第二侧之间延伸。在电子部件前体的一个范例中，所述沟槽包括由相邻沟槽部分之间的间隙分开的至少三个沟槽部分。在电子部件前体的一个范例中，所述沟槽包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个沟槽。在电子部件前体的一个范例中，所述多个沟槽包括至少三个沟槽。在一个范例中，电子部件前体包括与所述第一侧或所述第二侧上的第一沟槽间隔开的第二沟槽，其中，所述第二沟槽是连续的并且没有间隙。在电子部件前体的一个范例中，所述第一沟槽包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个沟槽。在电子部件前体的一个范例中，所述第二沟槽是最内沟槽。在电子部件前体的一个范例中，所述沟槽设置在所述电子部件的周界周围。在电子部件前体的一个范例中，所述半导体材料包括多晶硅。在电子部件前体的一个范例中，所述半导体材料包括多个多晶硅层。在一个范例中，电子部件前体包括与所述多个多晶硅层交替布置的多个氧化物层。在一个范例中，提供了一种电子部件，所述电子部件包括：半导体材料；阻挡物，形成于所述半导体材料中，所述阻挡物具有首尾相连地取向的第一阻挡物部分和第二阻挡物部分，以阻挡所述电子部件中的离子扩散和裂缝传播；以及所述阻挡物中的开口，在所述第一阻挡物部分与所述第二阻挡物部分之间，使得所述半导体材料的部分在所述阻挡物的第一侧与第二侧之间延伸。在电子部件的一个范例中，所述第一阻挡物部分与所述第二阻挡物部分由形成所述开口的间隙彼此分开。在电子部件的一个范例中，所述阻挡物包括至少三个阻挡物部分并且所述开口包括多个在所述阻挡物中且在相邻阻挡物部分之间的开口。在电子部件的一个范例中，所述阻挡物包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个阻挡物。在电子部件的一个范例中，所述多个阻挡物包括至少三个阻挡物。在一个范例中，电子部件包括在所述第一侧或所述第二侧上的与所述第一阻挡物间隔开的第二阻挡物，其中，所述第二阻挡物是连续的并且没有开口。在电子部件的一个范例中，所述第一阻挡物包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个阻挡物。在电子部件的一个范例中，所述第二阻挡物是最内阻挡物。在电子部件的一个范例中，所述阻挡物设置在所述电子部件的周界周围。在电子部件的一个范例中，所述阻挡物包括钨。在电子部件的一个范例中，所述半导体材料包括多晶硅。在电子部件的一个范例中，所述半导体材料包括多个多晶硅层。在一个范例中，电子部件包括与所述多个多晶硅层交替布置的多个氧化物层。在一个范例中，提供了一种电子器件，所述电子器件包括：半导体材料；能够操作地耦合到所述半导体材料的电子部件。所述电子部件包括：半导体材料；阻挡物，形成于所述半导体材料中，所述阻挡物具有首尾相连地取向的第一阻挡物部分和第二阻挡物部分，以阻挡所述电子部件中的离子扩散和裂缝传播；以及所述阻挡物中的开口，在所述第一阻挡物部分与所述第二阻挡物部分之间，使得所述半导体材料的部分在所述阻挡物的第一侧与第二侧之间延伸。在电子器件的一个范例中，所述电子部件包括存储器部件。在一个范例中，电子器件包括CPU、GPU、存储器控制器、视频解码器、音频解码器、视频编码器、相机处理器、系统存储器、调制解调器、或其组合。在一个范例中，提供了一种计算系统，所述计算系统包括：主板；以及能够操作地耦合到所述主板的电子器件部件。所述电子部件包括：半导体材料；阻挡物，形成于所述半导体材料中，所述阻挡物具有首尾相连地取向的第一阻挡物部分和第二阻挡物部分，以阻挡所述电子部件中的离子扩散和裂缝传播；以及所述阻挡物中的开口，在所述第一阻挡物部分与所述第二阻挡物部分之间，使得所述半导体材料的部分在所述阻挡物的第一侧与第二侧之间延伸。在计算系统的一个范例中，所述计算系统包括台式电脑、膝上型电脑、平板电脑、智能电话、可穿戴设备、服务器、集成汽车计算系统自动驾驶辅助系统、或其组合。在计算系统的一个范例中，所述计算系统还包括能够操作地耦合至所述主板的处理器、存储器器件、热沉、无线电收发装置、缝隙、端口、或其组合。在一个范例中，提供了一种用于制作电子部件保护环的方法，所述方法包括：在电子部件的半导体材料中形成沟槽，所述沟槽具有第一沟槽部分和第二沟槽部分，所述第一沟槽部分和所述第二沟槽部分首尾相连地取向并且由间隙彼此分开，使得所述半导体材料的部分在所述沟槽的第一侧与第二侧之间延伸；以及在所述沟槽中设置阻挡物材料，以在所述第一沟槽部分和所述第二沟槽部分中分别形成第一阻挡物部分和第二阻挡物部分，以阻挡所述电子部件中的离子扩散和裂缝传播，其中，所述间隙在所述阻挡物中在所述第一阻挡物部分与所述第二阻挡物部分之间形成开口。在用于制作电子部件保护环的方法的一个范例中，形成沟槽包括干法蚀刻工艺。在用于制作电子部件保护环的方法的一个范例中，在所述沟槽中设置阻挡物材料包括沉积工艺。在用于制作电子部件保护环的方法的一个范例中，形成所述沟槽包括形成至少三个沟槽部分，所述至少三个沟槽部分具有在所述沟槽中且在相邻沟槽部分之间的间隙。在用于制作电子部件保护环的方法的一个范例中，所述沟槽包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个沟槽。在一个范例中，用于制作电子部件保护环的方法包括与所述第一侧或所述第二侧上的第一沟槽间隔开的第二沟槽，其中，所述第二沟槽是连续的并且没有间隙。在用于制作电子部件保护环的方法的一个范例中，所述第一沟槽包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个沟槽。在用于制作电子部件保护环的方法的一个范例中，所述多个沟槽包括至少三个沟槽。在用于制作电子部件保护环的方法的一个范例中，所述第二沟槽是最内沟槽。在用于制作电子部件保护环的方法的一个范例中，所述沟槽设置在所述电子部件的周界周围。在用于制作电子部件保护环的方法的一个范例中，所述阻挡物材料包括钨。在用于制作电子部件保护环的方法的一个范例中，所述半导体材料包括多晶硅。在用于制作电子部件保护环的方法的一个范例中，所述半导体材料包括多个多晶硅层。在用于制作电子部件保护环的方法的一个范例中，所述多个多晶硅层与多个氧化物层交替布置。在一个范例中，提供了一种用于最小化制作电子部件时的电弧放电的方法，所述方法包括：在电子部件的半导体材料中形成沟槽的第一沟槽部分；以及在所述半导体材料中形成所述沟槽的第二沟槽部分，其中，所述第一沟槽部分和所述第二沟槽部分首尾相连地取向并且由间隙彼此分开，使得所述半导体材料的部分在所述沟槽的第一侧与第二侧之间延伸。在用于最小化制作电子部件时的电弧放电的方法的一个范例中，形成所述第一沟槽部分和所述第二沟槽部分包括干法蚀刻工艺。在一个范例中，用于最小化制作电子部件时的电弧放电的方法包括形成所述沟槽的至少三个沟槽部分，所述至少三个沟槽部分具有在所述沟槽中且在相邻沟槽部分之间的间隙。在用于最小化制作电子部件时的电弧放电的方法的一个范例中，所述沟槽包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个沟槽。在用于最小化制作电子部件时的电弧放电的方法的一个范例中，所述多个沟槽包括至少三个沟槽。在一个范例中，用于最小化制作电子部件时的电弧放电的方法包括与所述第一侧或所述第二侧上的第一沟槽间隔开的第二沟槽，其中，所述第二沟槽是连续的并且没有间隙。在用于最小化制作电子部件时的电弧放电的方法的一个范例中，所述第一沟槽包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个沟槽。在用于最小化制作电子部件时的电弧放电的方法的一个范例中，所述第二沟槽是最内沟槽。在用于最小化制作电子部件时的电弧放电的方法的一个范例中，所述沟槽设置在所述电子部件的周界周围。在用于最小化制作电子部件时的电弧放电的方法的一个范例中，所述半导体材料包括多晶硅。在用于最小化制作电子部件时的电弧放电的方法的一个范例中，所述半导体材料包括多个多晶硅层。在用于最小化制作电子部件时的电弧放电的方法的一个范例中，所述多个多晶硅层与多个氧化物层交替布置。电子器件的电子部件或器件例如，管芯中使用的电路系统能够包含硬件、固件、程序代码、可执行代码、计算机指令、和或软件。电子部件和器件能够包含非暂时性计算机只读储存介质，该介质能够是不包含信号的计算机可读储存介质。在程序代码在可编程计算机上执行的情况下，于此记载的计算装置可以包含处理器、处理器可读的储存介质包含易失性和非易失性存储器和或储存元件、至少一个输入装置、以及至少一个输出装置。易失性和非易失性存储器和或储存元件可以是RAM、EPROM、闪存器件、光驱、磁性硬驱magneticharddrive、固态驱动器、或用于储存电子数据的其它介质。节点和无线器件也可以包含收发模块、计数器模块、处理模块、和或时钟模块或定时器模块。可以实施或利用于此描述的任何技术的一个或多个程序可以使用应用编程接口API、可重复使用的控制等。可以以高层级程序或面向对象的编程语言来实施该程序，以与计算机系统通信。然而，如果期望，可以以汇编或机器语言来实施程序单个或多个。在任何情况下，语言可以是编译或解释语言，并且与硬件实施组合。虽然前述范例是示例一个或多个具体应用中的特定实施例，但是对本领域技术人员将明显的是，能够做出实施的形式、用途和细节的许多修改，而不脱离于此清楚表达的原理和概念。

权利要求：1.一种电子部件保护环，包括：阻挡物，具有首尾相连地取向的第一阻挡物部分和第二阻挡物部分，以阻挡电子部件中的离子扩散和裂缝传播；以及所述阻挡物中的开口，在所述第一阻挡物部分与所述第二阻挡物部分之间，并且在所述阻挡物的第一侧与第二侧之间延伸。2.如权利要求1所述的电子部件保护环，其中，所述第一阻挡物部分与所述第二阻挡物部分由形成所述开口的间隙彼此分开。3.如权利要求1所述的电子部件保护环，其中，所述阻挡物包括至少三个阻挡物部分并且所述开口包括多个在所述阻挡物中且在相邻阻挡物部分之间的开口。4.如权利要求1所述的电子部件保护环，其中，所述阻挡物包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个阻挡物。5.如权利要求4所述的电子部件保护环，其中，所述多个阻挡物包括至少三个阻挡物。6.如权利要求1所述的电子部件保护环，还包括在所述第一侧或所述第二侧上的与所述第一阻挡物间隔开的第二阻挡物，其中，所述第二阻挡物是连续的并且没有开口。7.如权利要求6所述的电子部件保护环，其中，所述第一阻挡物包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个阻挡物。8.如权利要求6所述的电子部件保护环，其中，所述第二阻挡物是最内阻挡物。9.如权利要求1所述的电子部件保护环，其中，所述阻挡物设置在所述电子部件的周界周围。10.如权利要求1所述的电子部件保护环，其中，所述阻挡物包括钨。11.一种电子部件前体，包括：半导体材料，形成电子部件的部分；以及沟槽，具有形成于所述半导体材料中的第一沟槽部分和第二沟槽部分，用于构造阻挡所述电子部件中的离子扩散和裂缝传播的阻挡物，其中，所述第一沟槽部分和所述第二沟槽部分首尾相连地取向并且由间隙彼此分开，使得所述半导体材料的部分在所述沟槽的第一侧与第二侧之间延伸。12.如权利要求11所述的电子部件前体，其中，所述沟槽包括由相邻沟槽部分之间的间隙分开的至少三个沟槽部分。13.如权利要求11所述的电子部件前体，其中，所述沟槽包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个沟槽。14.如权利要求13所述的电子部件前体，其中，所述多个沟槽包括至少三个沟槽。15.如权利要求11所述的电子部件前体，还包括与所述第一侧或所述第二侧上的第一沟槽间隔开的第二沟槽，其中，所述第二沟槽是连续的并且没有间隙。16.如权利要求15所述的电子部件前体，其中，所述第一沟槽包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个沟槽。17.如权利要求15所述的电子部件前体，其中，所述第二沟槽是最内沟槽。18.如权利要求11所述的电子部件前体，其中，所述沟槽设置在所述电子部件的周界周围。19.如权利要求11所述的电子部件前体，其中，所述半导体材料包括多晶硅。20.如权利要求11所述的电子部件前体，其中，所述半导体材料包括多个多晶硅层。21.如权利要求20所述的电子部件前体，还包括与所述多个多晶硅层交替布置的多个氧化物层。22.一种电子部件，包括：半导体材料；阻挡物，形成于所述半导体材料中，所述阻挡物具有首尾相连地取向的第一阻挡物部分和第二阻挡物部分，以阻挡所述电子部件中的离子扩散和裂缝传播；以及所述阻挡物中的开口，在所述第一阻挡物部分与所述第二阻挡物部分之间，使得所述半导体材料的部分在所述阻挡物的第一侧与第二侧之间延伸。23.如权利要求22所述的电子部件，其中，所述第一阻挡物部分与所述第二阻挡物部分由形成所述开口的间隙彼此分开。24.如权利要求22所述的电子部件，其中，所述阻挡物包括至少三个阻挡物部分并且所述开口包括多个在所述阻挡物中且在相邻阻挡物部分之间的开口。25.如权利要求22所述的电子部件，其中，所述阻挡物包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个阻挡物。26.如权利要求25所述的电子部件，其中，所述多个阻挡物包括至少三个阻挡物。27.如权利要求22所述的电子部件，还包括在所述第一侧或所述第二侧上的与所述第一阻挡物间隔开的第二阻挡物，其中，所述第二阻挡物是连续的并且没有开口。28.如权利要求27所述的电子部件，其中，所述第一阻挡物包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个阻挡物。29.如权利要求27所述的电子部件，其中，所述第二阻挡物是最内阻挡物。30.如权利要求22所述的电子部件，其中，所述阻挡物设置在所述电子部件的周界周围。31.如权利要求22所述的电子部件，其中，所述阻挡物包括钨。32.如权利要求22所述的电子部件，其中，所述半导体材料包括多晶硅。33.如权利要求22所述的电子部件，其中，所述半导体材料包括多个多晶硅层。34.如权利要求33所述的电子部件，还包括与所述多个多晶硅层交替布置的多个氧化物层。35.一种电子器件，包括：衬底；如权利要求22-34中的任一项所述的电子部件，能够操作地耦合到所述衬底。36.如权利要求35所述的电子器件，其中，所述电子部件包括存储器部件。37.如权利要求35所述的电子器件，还包括CPU、GPU、存储器控制器、视频解码器、音频解码器、视频编码器、相机处理器、系统存储器、调制解调器、或其组合。38.一种计算系统，包括：主板；以及如权利要求22-34中的任一项所述的电子部件，能够操作地耦合到所述主板。39.如权利要求38所述的系统，其中，所述计算系统包括台式电脑、膝上型电脑、平板电脑、智能电话、可穿戴设备、服务器、或其组合。40.如权利要求38所述的系统，还包括能够操作地耦合至所述主板的处理器、存储器器件、热沉、无线电收发装置、缝隙、端口、或其组合。41.一种用于制作电子部件保护环的方法，包括：在电子部件的半导体材料中形成沟槽，所述沟槽具有第一沟槽部分和第二沟槽部分，所述第一沟槽部分和所述第二沟槽部分首尾相连地取向并且由间隙彼此分开，使得所述半导体材料的部分在所述沟槽的第一侧与第二侧之间延伸；以及在所述沟槽中设置阻挡物材料，以在所述第一沟槽部分和所述第二沟槽部分中分别形成第一阻挡物部分和第二阻挡物部分，以阻挡所述电子部件中的离子扩散和裂缝传播，其中，所述间隙在所述阻挡物中在所述第一阻挡物部分与所述第二阻挡物部分之间形成开口。42.如权利要求41所述的方法，其中，形成沟槽包括干法蚀刻工艺。43.如权利要求41所述的方法，其中，在所述沟槽中设置阻挡物材料包括沉积工艺。44.如权利要求41所述的方法，其中，形成所述沟槽包括形成至少三个沟槽部分，所述至少三个沟槽部分具有在所述沟槽中且在相邻沟槽部分之间的间隙。45.如权利要求41所述的方法，其中，所述沟槽包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个沟槽。46.如权利要求41所述的方法，还包括与所述第一侧或所述第二侧上的第一沟槽间隔开的第二沟槽，其中，所述第二沟槽是连续的并且没有间隙。47.如权利要求46所述的方法，其中，所述第一沟槽包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个沟槽。48.如权利要求47所述的方法，其中，所述多个沟槽包括至少三个沟槽。49.如权利要求46所述的方法，其中，所述第二沟槽是最内沟槽。50.如权利要求4141所述的方法，其中，所述沟槽设置在所述电子部件的周界周围。51.如权利要求41所述的方法，其中，所述阻挡物材料包括钨。52.如权利要求41所述的方法，其中，所述半导体材料包括多晶硅。53.如权利要求41所述的方法，其中，所述半导体材料包括多个多晶硅层。54.如权利要求53所述的方法，其中，所述多个多晶硅层与多个氧化物层交替布置。55.一种用于最小化制作电子部件时的电弧放电的方法，包括：在电子部件的半导体材料中形成沟槽的第一沟槽部分；以及在所述半导体材料中形成所述沟槽的第二沟槽部分，其中，所述第一沟槽部分和所述第二沟槽部分首尾相连地取向并且由间隙彼此分开，使得所述半导体材料的部分在所述沟槽的第一侧与第二侧之间延伸。56.如权利要求55所述的方法，其中，形成所述第一沟槽部分和所述第二沟槽部分包括干法蚀刻工艺。57.如权利要求55所述的方法，还包括形成所述沟槽的至少三个沟槽部分，所述至少三个沟槽部分具有在所述沟槽中且在相邻沟槽部分之间的间隙。58.如权利要求55所述的方法，其中，所述沟槽包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个沟槽。59.如权利要求58所述的方法，其中，所述多个沟槽包括至少三个沟槽。60.如权利要求55所述的方法，还包括与所述第一侧或所述第二侧上的第一沟槽间隔开的第二沟槽，其中，所述第二沟槽是连续的并且没有间隙。61.如权利要求60所述的方法，其中，所述第一沟槽包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个沟槽。62.如权利要求60所述的方法，其中，所述第二沟槽是最内沟槽。63.如权利要求55所述的方法，其中，所述沟槽设置在所述电子部件的周界周围。64.如权利要求55所述的方法，其中，所述半导体材料包括多晶硅。65.如权利要求55所述的方法，其中，所述半导体材料包括多个多晶硅层。66.如权利要求65所述的方法，其中，所述多个多晶硅层与多个氧化物层交替布置。

百度查询： 英特尔公司 电子部件保护环

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD