申请/专利权人:上海晶盟硅材料有限公司
申请日:2023-10-07
公开(公告)日:2024-04-30
公开(公告)号:CN220867576U
主分类号:C30B25/12
分类号:C30B25/12;C30B23/02
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.30#授权
摘要:本实用新型属于外延炉旋转水平改善技术领域,具体的说是一种外延炉旋转水平改善装置,包括基座;所述基座顶部设置有安装盘,所述安装盘开设有相通的安装槽与卡孔,所述卡孔贯穿安装盘顶部并卡接有旋转轴,所述安装槽内设置有贯穿安装盘的双向丝杆,所述双向丝杆一端设置有把手;操作人员首先将外径尺寸为13.025mm的旋转轴插入卡孔使之卡接,旋转轴与卡孔之间为过盈配合,顺时针转动把手,驱动双向丝杆,螺母带动夹持组件位移,直至夹持组件与旋转轴外表面紧密相连,旋转轴与卡孔之间为过盈配合且夹持组件对旋转轴进行平稳夹持,有效改善旋转轴动工作过程中产生的晃动,增加旋转稳定度,保障基座水平度,对晶片的厚度阻值均匀性进行有效改善。
主权项:1.一种外延炉旋转水平改善装置,包括基座1;其特征在于:所述基座1顶部设置有安装盘2,所述安装盘2开设有相通的安装槽3与卡孔4,所述卡孔4贯穿安装盘2顶部并卡接有旋转轴5,所述安装槽3内设置有贯穿安装盘2的双向丝杆6,所述双向丝杆6一端设置有把手8,所述双向丝杆6对称连接有螺母9,所述螺母9连接有夹持组件,所述安装盘2连接有与双向丝杆6相适配的轴承7,所述旋转轴5外径尺寸为13.01-13.03mm。
全文数据:
权利要求:
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