申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2023-08-24

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN220873563U

主分类号：H01L23/34

分类号：H01L23/34;H01L23/538;H01L23/528;H01L23/522;H01L23/48;H01L23/31

优先权：["20220826 US 17/896,097"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权

摘要：本实用新型提供一种封装结构，包括半导体管芯、重布线电路结构、背侧介电层、导电端子、电子装置及底部填充剂。半导体管芯被绝缘包封体在侧向上包封。重布线电路结构设置于半导体管芯及绝缘包封体上。重布线电路结构包括重布线导电层及与所述重布线导电层电性绝缘的热增强结构，且热增强结构热耦合至半导体管芯。背侧介电层设置于重布线电路结构上。导电端子贯穿背侧介电层。电子装置设置于背侧介电层之上，且藉由导电端子电性连接至重布线电路结构。底部填充剂设置于背侧介电层与电子装置之间，其中底部填充剂热耦合至热增强结构。

主权项：1.一种封装结构，其特征在于，包括：半导体管芯，被绝缘包封体在侧向上包封；重布线电路结构，设置于所述半导体管芯及所述绝缘包封体上，所述重布线电路结构包括重布线导电层及与所述重布线导电层电性绝缘的热增强结构，且所述热增强结构热耦合至所述半导体管芯；背侧介电层，设置于所述重布线电路结构上；导电端子，贯穿所述背侧介电层；电子装置，设置于所述背侧介电层之上，且藉由所述导电端子电性连接至所述重布线电路结构；以及底部填充剂，设置于所述背侧介电层与所述电子装置之间，其中所述底部填充剂热耦合至所述热增强结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 封装结构

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