申请/专利权人：中国科学院理化技术研究所

申请日：2022-10-27

公开（公告）日：2024-05-07

公开（公告）号：CN117998960A

主分类号：H10N10/17

分类号：H10N10/17;H01B12/06;F25B21/02

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.05.07#公开

摘要：本发明公开了一种低温半导体复合制冷系统，包括：冷端，第一电极，P型复合热电元件，N型复合热电元件，第二电极，第三电极，热端，热沉；所述P型复合热电元件设置在所述第一电极的下表面，所述P型复合热电元件中设置有超导材料层；所述N型复合热电元件，设置在所述第一电极的下表面，所述N型复合热电元件中设置有超导材料层。本发明公开的低温半导体复合制冷系统利用超导材料的超高电导率特性，解耦了传统半导体制冷材料导热率和导电率的制约关系，可大幅度提高半导体制冷材料的等效优值系数，进而提高了低温半导体复合制冷系统的性能。

主权项：1.一种低温半导体复合制冷系统，其特征在于，包括：冷端，第一电极，设置在所述冷端下表面；P型复合热电元件，设置在所述第一电极的下表面，并与所述第一电极连接，所述P型复合热电元件中设置有超导材料层；N型复合热电元件，设置在所述第一电极的下表面，并与所述第一电极连接，所述N型复合热电元件中设置有超导材料层；第二电极，设置在所述P型复合热电元件的下表面，并与所述P型复合热电元件连接；第三电极，设置在所述N型复合热电元件的下表面，并与所述N型复合热电元件连接；热端，其上表面设置有第二电极和第三电极，所述热端与所述冷端之间具有温差；热沉，设置在所述热端的下表面上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院理化技术研究所 一种低温半导体复合制冷系统

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