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【发明授权】基于微箔电爆的平面高压开关集成爆炸箔芯片_南京理工大学_201811151375.2 

申请/专利权人:南京理工大学

申请日:2018-09-29

公开(公告)日:2024-05-07

公开(公告)号:CN110966894B

主分类号:F42B3/12

分类号:F42B3/12

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.05.07#授权;2020.05.01#实质审查的生效;2020.04.07#公开

摘要:本发明公开了一种基于微箔电爆的平面高压开关集成爆炸箔芯片,该平面高压开关集成爆炸箔芯片包括:基底层、金属层A、塑料薄膜层、金属层B和光刻胶层。基底层在平面高压开关部分作为载体,爆炸箔起爆器部分作为反射背板;金属层A置于基底层之上,开关部分作为下电极,爆炸箔部分作为桥区、过渡区和焊盘区;塑料薄膜层置于金属层A之上,在开关部分作为绝缘层,在爆炸箔部分作为飞片材料;金属层B是开关部分的诱发元,光刻胶层在开关部分作为约束层,在爆炸箔部分作为加速膛。本发明将高压开关和爆炸箔进行一体化集成,缩短了体积和放电回路,提高了能量利用率;此外,利用微机电加工技术,降低成本的同时,保证了芯片的一致性。

主权项:1.一种基于微箔电爆的平面高压开关集成爆炸箔芯片,其特征在于:所述芯片包括基底层1、金属层A2、塑料薄膜层3、金属层B4和光刻胶层5,所述的基底层1中平面高压开关部分作为载体,爆炸箔起爆器部分作为反射背板;所述的金属层A2置于基底层1之上,其开关部分作为下电极2-a,其爆炸箔部分作为过渡区2-b、桥区2-c、和焊盘2-d;所述的塑料薄膜层3置于金属层A2之上,其开关部分作为绝缘层,其爆炸箔部分作为飞片;所述的金属层B4置于塑料薄膜层3之上,作为开关部分的诱发元,包括微型桥箔4-a、过渡区4-b和焊盘4-c;所述的光刻胶层5置于金属层B4之上,其开关部分作为约束层5-a,其爆炸箔部分作为加速膛5-b;所述的金属层A2和金属层B4均包括桥区2-c、4-a、过渡区2-b、4-b、焊盘2-d、4-c,其中过渡区2-b、4-b为从两端到中间逐渐收缩并通过桥区2-c、4-a连接区域;所述的过渡区2-b、4-b包括梯形或半圆形;桥区2-c、4-a与过渡区2-b、4-b之间的夹角在30°~90°之间,所述的桥区2-c、4-a与过渡区2-b、4-b之间的圆角曲率半径在0.01mm~0.5mm之间。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南京理工大学 基于微箔电爆的平面高压开关集成爆炸箔芯片

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