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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本公开提供一种成膜方法和成膜装置，能够减少使用氢化硅气体形成的含硅膜的含氢量。将基板载置于处理容器的内部的载置台，对所述处理容器的内部供给氢化硅气体和其它气体，在所述处理容器的内部使所述氢化硅气体解离来生成高密度等离子体，使用所述高密度等离子体在所述基板形成含硅膜，所述高密度等离子体的电子密度为1×1011cm3以上，形成所述含硅膜时的所述载置台的温度被控制为150℃以上且400℃以下，在生成所述高密度等离子体时对所述处理容器所具有的等离子体生成单元供给的高频电力的电力密度为0.14Wcm2～2.98Wcm2。
主权项：1.一种成膜方法，用于在处理容器的内部对基板实施成膜处理，所述成膜方法包括以下工序：将基板载置于所述处理容器的内部的载置台；对所述处理容器的内部供给氢化硅气体和其它气体；在所述处理容器的内部使所述氢化硅气体解离来生成高密度等离子体；以及使用所述高密度等离子体在所述基板形成含硅膜，其中，所述高密度等离子体的电子密度为1×1011cm3以上，形成所述含硅膜的工序中的所述载置台的温度被控制为150℃以上且400℃以下，在生成所述高密度等离子体的工序中，对所述处理容器所具有的等离子体生成单元供给的高频电力的电力密度为0.14Wcm2～2.98Wcm2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 成膜方法和成膜装置
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