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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2024-03-21
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053745A
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;H01L21/8234
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供一种改善不同尺寸栅极高度差异的方法，提供衬底，衬底上包括短沟道器件区和长沟道器件区，在短沟道器件区和长沟道器件区上形成有栅极介电层及其上的第一、二伪栅多晶硅层，第一伪栅多晶硅层的宽度低于第二伪栅多晶硅层，在第一、二伪栅多晶硅层的侧壁形成侧墙结构；在衬底上形成覆盖第一、二伪栅多晶硅层和侧墙结构的刻蚀停止层，在刻蚀停止层上形成层间介质层；利用化学机械平坦化研磨的方法研磨层间介质层，研磨过程中采用的研磨液对栅极多晶硅层的研磨速率低于对层间介质层的研磨速率，使得短沟道器件区和长沟道器件区上的第一、二伪栅多晶硅层的高度分别为第一、二目标高度。本发明的方法能够改善不同尺寸栅极高度差异。
主权项：1.一种改善不同尺寸栅极高度差异的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上包括短沟道器件区和长沟道器件区，在所述短沟道器件区和所述长沟道器件区上形成有栅极介电层及其上的第一、二伪栅多晶硅层，所述第一伪栅多晶硅层的宽度低于所述第二伪栅多晶硅层，在所述第一、二伪栅多晶硅层的侧壁形成侧墙结构；步骤二、在所述衬底上形成覆盖所述第一、二伪栅多晶硅层和所述侧墙结构的刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层上形成层间介质层；步骤三、利用化学机械平坦化研磨的方法研磨所述层间介质层，研磨过程中采用的研磨液对所述栅极多晶硅层的研磨速率低于对所述层间介质层的研磨速率，使得所述短沟道器件区和所述长沟道器件区上的所述第一、二伪栅多晶硅层的高度分别为第一、二目标高度，其中所述第一目标高度低于所述第二目标高度；步骤四、去除所述第一、二伪栅多晶硅层，分别在所述短沟道器件区和所述长沟道器件区形成第一、二沟槽；步骤五、利用淀积、研磨形成填充所述第一、二沟槽的金属栅，使得所述第一、二沟槽中的金属栅高度一致或趋向于一致。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 改善不同尺寸栅极高度差异的方法
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