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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-01-19
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118048694A
主分类号：C30B33/08
分类号：C30B33/08;H01L21/02;H01L21/3205
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明公开了一种防止晶圆边缘化镀层剥落的方法，所述晶圆包含图形区及去边区，所述去边区位于晶圆的边缘区域，将所述的图形区环绕包围；对所述的晶圆进行金属化镀，在所述的晶圆表面形成一层金属；化镀后对所述晶圆进行背面冲洗步骤，冲洗过程中药液回流到正面边缘，去除晶圆边缘的去边区的镀金残留。本发明方法在晶圆化镀后将晶圆翻转后进行一次富含相应药液的清洗，去除晶圆去边区的化镀金属，减少后续去边区的化镀金属剥离污染晶圆的情况发生。
主权项：1.一种防止晶圆边缘化镀层剥落的方法，其特征在于：所述晶圆的正面包含图形区及去边区；所述去边区是位于晶圆的最外边沿的环形区域，将所述的图形区环绕包围；对所述的晶圆进行金属化镀，在所述的晶圆表面形成一层金属；化镀后对所述晶圆采用药液进行背面冲洗步骤，冲洗过程中药液沿晶圆边缘回流到正面边缘，去除晶圆边缘的去边区的镀金残留。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 防止晶圆边缘化镀层剥落的方法
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