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申请/专利权人：中和纳米科技(广东)有限公司
申请日：2023-12-27
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118047543A
主分类号：C03C17/36
分类号：C03C17/36
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.17#公开
摘要：本申请提供了一种半导体纳米发热板正面接地保护制作工艺，运用于纳米工艺技术领域，通过将基材进行表面处理并清洗；再通过高温隧道炉加热进行镀膜；将镀膜液镀在基材表面形成镀膜面，在镀膜面上印上导电银浆；在非镀膜面上镀上低电阻值的导电电阻作为接地面；再接地面上印制网格导电银浆；再把接地点用银浆引至发热面的接地点上；具备解决目前所不能解决的目前已有一些工艺用于制作半导体纳米发热板的正面接地保护，但存在一些问题，例如，工艺步骤繁琐、成本高昂、制作周期长的技术问题。
主权项：1.一种半导体纳米发热板正面接地保护制作工艺，其特征在于，所述工艺包括：S1、将基材进行表面处理并清洗；S2、再通过高温隧道炉加热进行镀膜；S3、将镀膜液镀在基材表面形成镀膜面，在镀膜面上印上导电银浆；S4、在非镀膜面上镀上低电阻值的导电电阻作为接地面；S5、再接地面上印制网格导电银浆；S6、再把接地点用银浆引至发热面的接地点上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中和纳米科技(广东)有限公司 半导体纳米发热板正面接地保护制作工艺
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