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申请/专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日：2023-07-19
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053746A
主分类号：H01L21/3065
分类号：H01L21/3065
优先权：["20221116 KR 10-2022-0154021"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：根据本发明的一观点的基板处理方法包括：预处理步骤，通过气体喷射部向基板上供应预处理气体来形成钝化层，所述预处理气体包含含氢气体及含氧气体；蚀刻步骤，通过所述气体喷射部向所述基板上供应蚀刻剂，进而对于多个第一绝缘层选择性地以侧方向至少部分性蚀刻多个第二绝缘层，蚀刻剂包含含卤素气体、含氢气体、含氧气体及含卤素及氢的反应物，所述含卤素及氢的反应物是所述含卤素气体与所述含氢气体产生反应而成。
主权项：1.一种基板处理方法，利用基板处理装置，所述基板处理装置包括：工艺腔室，形成用于处理基板的反应空间，所述基板形成有基底层与复合膜图案，所述复合膜图案为在所述基底层上至少交替层叠多个第一绝缘层及多个第二绝缘层而成；基板支撑部，结合于所述工艺腔室，以支撑所述基板；气体喷射部，结合于所述工艺腔室的上部，以与所述基板支撑部相向；及等离子体反应器，配置在所述工艺腔室外部，并且与所述气体喷射部连接，所述基板处理方法包括：预处理步骤，通过所述气体喷射部向所述基板上供应预处理气体来形成钝化层，所述预处理气体包含含氢气体及含氧气体；蚀刻步骤，通过所述气体喷射部向所述基板上供应蚀刻剂，进而对于所述多个第一绝缘层选择性地以侧方向至少部分性蚀刻所述多个第二绝缘层，所述蚀刻剂包含含卤素气体、含氢气体、含氧气体及含卤素及氢的反应物，所述含卤素及氢的反应物是所述含卤素气体与所述含氢气体产生反应而成；其中，在所述蚀刻步骤中，所述含卤素气体及所述含氢气体中的至少一种气体为在所述等离子体反应器激活，进而以自由基形式供应于所述气体喷射部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 圆益IPS股份有限公司 基板处理方法
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